Інші пропозиції CSD19533KCS Транзистор за ціною від 45.89 грн до 208.60 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
CSD19533KCS | Texas Instruments |
 Description: MOSFET N-CH 100V 100A TO220-3Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2670 pF @ 50 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Part Status: Active Power Dissipation (Max): 188W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 55A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Packaging: Tube Supplier Device Package: TO-220-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 250µA |
на замовлення 2410 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
CSD19533KCS | Texas Instruments |
MOSFETs 100V 8.7mOhm N-CH Pw r MOSFET |
на замовлення 1809 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
| CSD19533KCS |
|
Виробник: Texas Instruments
Description: MOSFET N-CH 100V 100A TO220-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2670 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Power Dissipation (Max): 188W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 55A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 250µA
Description: MOSFET N-CH 100V 100A TO220-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2670 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Power Dissipation (Max): 188W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 55A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 250µA
на замовлення 2410 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 168.53 грн |
| 50+ | 79.38 грн |
| 100+ | 71.35 грн |
| 500+ | 53.72 грн |
| 1000+ | 49.47 грн |
| 2000+ | 45.89 грн |
| CSD19533KCS |
|
Виробник: Texas Instruments
MOSFETs 100V 8.7mOhm N-CH Pw r MOSFET
MOSFETs 100V 8.7mOhm N-CH Pw r MOSFET
на замовлення 1809 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 208.60 грн |
| 10+ | 133.37 грн |
| 100+ | 84.91 грн |
| 500+ | 71.11 грн |
| 1000+ | 61.16 грн |
| 2500+ | 58.13 грн |