Інші пропозиції CSD19533KCS транзистор за ціною від 46.21 грн до 169.71 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
CSD19533KCS | Texas Instruments |
 Trans MOSFET N-CH Si 100V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
CSD19533KCS | Texas Instruments |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
CSD19533KCS | TEXAS INSTRUMENTS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 100A; 188W; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: NexFET™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 100A Power dissipation: 188W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 8.7mΩ Mounting: THT Gate charge: 27nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Heatsink thickness: 1.14...1.4mm |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
CSD19533KCS | Texas Instruments |
Description: MOSFET N-CH 100V 100A TO220-3 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2670 pF @ 50 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Part Status: Active Power Dissipation (Max): 188W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 55A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Packaging: Tube Supplier Device Package: TO-220-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 250µA |
на замовлення 2410 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
CSD19533KCS | Texas Instruments |
MOSFETs 100V 8.7mOhm N-CH Pw r MOSFET |
на замовлення 1809 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
|
CSD19533KCS | Texas Instruments |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 8 шт В кошику од. на суму грн. |
| CSD19533KCS |
|
Виробник: Texas Instruments
Trans MOSFET N-CH Si 100V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Trans MOSFET N-CH Si 100V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 12+ | 65.05 грн |
| CSD19533KCS |
|
Виробник: Texas Instruments
Trans MOSFET N-CH Si 100V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Trans MOSFET N-CH Si 100V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1000+ | 76.23 грн |
| 5000+ | 73.83 грн |
| CSD19533KCS |
|
Виробник: TEXAS INSTRUMENTS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 100A; 188W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: NexFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 100A
Power dissipation: 188W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.7mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 27nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Heatsink thickness: 1.14...1.4mm
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 100A; 188W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: NexFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 100A
Power dissipation: 188W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.7mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 27nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Heatsink thickness: 1.14...1.4mm
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 90.11 грн |
| 6+ | 78.66 грн |
| 10+ | 70.29 грн |
| 25+ | 61.92 грн |
| 50+ | 56.90 грн |
| 100+ | 51.88 грн |
| 500+ | 50.21 грн |
| CSD19533KCS |
|
Виробник: Texas Instruments
Description: MOSFET N-CH 100V 100A TO220-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2670 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Power Dissipation (Max): 188W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 55A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 250µA
Description: MOSFET N-CH 100V 100A TO220-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2670 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Power Dissipation (Max): 188W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 55A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 250µA
на замовлення 2410 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 169.71 грн |
| 50+ | 79.93 грн |
| 100+ | 71.85 грн |
| 500+ | 54.10 грн |
| 1000+ | 49.81 грн |
| 2000+ | 46.21 грн |
| CSD19533KCS |
|
Виробник: Texas Instruments
MOSFETs 100V 8.7mOhm N-CH Pw r MOSFET
MOSFETs 100V 8.7mOhm N-CH Pw r MOSFET
на замовлення 1809 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| CSD19533KCS |
|
Виробник: Texas Instruments
Trans MOSFET N-CH Si 100V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Trans MOSFET N-CH Si 100V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)