CSD19533Q5AT Texas Instruments
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 250+ | 56.61 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис CSD19533Q5AT Texas Instruments
Description: MOSFET N-CH 100V 100A 8VSON, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.4mOhm @ 13A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 96W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2670 pF @ 50 V.
Інші пропозиції CSD19533Q5AT за ціною від 60.66 грн до 231.99 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
CSD19533Q5AT | Виробник : Texas Instruments |
 Trans MOSFET N-CH Si 100V 100A 8-Pin VSONP EP T/R |
на замовлення 250 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
CSD19533Q5AT | Виробник : Texas Instruments |
Description: MOSFET N-CH 100V 100A 8VSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.4mOhm @ 13A, 10V Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 96W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2670 pF @ 50 V |
на замовлення 250 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
CSD19533Q5AT | Виробник : TEXAS INSTRUMENTS |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 100A; 96W; VSONP8; 5x6mm Kind of channel: enhancement Mounting: SMD Technology: NexFET™ Type of transistor: N-MOSFET Kind of package: reel; tape Case: VSONP8 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 100A Gate charge: 27nC Dimensions: 5x6mm On-state resistance: 7.8mΩ Power dissipation: 96W Gate-source voltage: ±20V |
на замовлення 122 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
CSD19533Q5AT | Виробник : Texas Instruments |
Description: MOSFET N-CH 100V 100A 8VSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.4mOhm @ 13A, 10V Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 96W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2670 pF @ 50 V |
на замовлення 513 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
CSD19533Q5AT | Виробник : TEXAS INSTRUMENTS |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 100A; 96W; VSONP8; 5x6mm Kind of channel: enhancement Mounting: SMD Technology: NexFET™ Type of transistor: N-MOSFET Kind of package: reel; tape Case: VSONP8 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 100A Gate charge: 27nC Dimensions: 5x6mm On-state resistance: 7.8mΩ Power dissipation: 96W Gate-source voltage: ±20V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 122 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
CSD19533Q5AT | Виробник : Texas Instruments |
MOSFETs 100V 7.8mOhm SON5x6 N-ch NexFET A 595-CSD19533Q5A |
на замовлення 592 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| CSD19533Q5AT | Виробник : Texas Instruments |
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 11,1mOhm; 100A; 96W; -55°C ~ 150°C; CSD19533Q5AT CSD19533Q5A TCSD19533q5a кількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 20 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
|
CSD19533Q5AT | Виробник : Texas Instruments |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 100A 8-Pin VSONP EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
|
CSD19533Q5AT | Виробник : Texas Instruments |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 100A 8-Pin VSONP EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
 |
CSD19533Q5AT | Виробник : Texas Instruments |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 100A 8-Pin VSONP EP T/R |
товару немає в наявності |