CSD19533Q5AT Texas Instruments
Виробник: Texas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 100V 100A 8VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.4mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2670 pF @ 50 V
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 250+ | 67.67 грн |
| 500+ | 56.59 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис CSD19533Q5AT Texas Instruments
Description: MOSFET N-CH 100V 100A 8VSON, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.4mOhm @ 13A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 96W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2670 pF @ 50 V.
Інші пропозиції CSD19533Q5AT за ціною від 44.52 грн до 142.26 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
CSD19533Q5AT | Виробник : Texas Instruments |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 100A 8-Pin VSONP EP T/R |
на замовлення 250 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
CSD19533Q5AT | Виробник : Texas Instruments |
Description: MOSFET N-CH 100V 100A 8VSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.4mOhm @ 13A, 10V Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 96W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2670 pF @ 50 V |
на замовлення 651 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
CSD19533Q5AT | Виробник : Texas Instruments |
MOSFET 100V, 7.8mOhm SON5x6 N-ch NexFET |
на замовлення 1423 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
CSD19533Q5AT | Виробник : TEXAS INSTRUMENTS |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 100A; 96W; VSONP8; 5x6mm Mounting: SMD Dimensions: 5x6mm Case: VSONP8 Power dissipation: 96W Kind of package: reel; tape On-state resistance: 7.8mΩ Gate charge: 27nC Type of transistor: N-MOSFET Technology: NexFET™ Drain current: 100A Drain-source voltage: 100V Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Polarisation: unipolar |
на замовлення 396 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
CSD19533Q5AT | Виробник : TEXAS INSTRUMENTS |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 100A; 96W; VSONP8; 5x6mm Mounting: SMD Dimensions: 5x6mm Case: VSONP8 Power dissipation: 96W Kind of package: reel; tape On-state resistance: 7.8mΩ Gate charge: 27nC Type of transistor: N-MOSFET Technology: NexFET™ Drain current: 100A Drain-source voltage: 100V Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Polarisation: unipolar кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 396 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| CSD19533Q5AT | Виробник : Texas Instruments |
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 11,1mOhm; 100A; 96W; -55°C ~ 150°C; CSD19533Q5AT CSD19533Q5A TCSD19533q5a кількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 20 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
|
|
CSD19533Q5AT | Виробник : Texas Instruments |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 100A 8-Pin VSONP EP T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
CSD19533Q5AT | Виробник : Texas Instruments |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 100A 8-Pin VSONP EP T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 |
CSD19533Q5AT | Виробник : Texas Instruments |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 100A 8-Pin VSONP EP T/R |
товар відсутній |