Продукція > TEXAS INSTRUMENTS > CSD19533Q5AT
CSD19533Q5AT

CSD19533Q5AT Texas Instruments

suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd19533q5a
Виробник: Texas Instruments
Description: MOSFET N-CH 100V 100A 8VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.4mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2670 pF @ 50 V
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
250+62.78 грн
Мінімальне замовлення: 250
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис CSD19533Q5AT Texas Instruments

Description: MOSFET N-CH 100V 100A 8VSON, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.4mOhm @ 13A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 96W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2670 pF @ 50 V.

Інші пропозиції CSD19533Q5AT за ціною від 59.18 грн до 211.75 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
CSD19533Q5AT CSD19533Q5AT Виробник : Texas Instruments suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd19533q5a Trans MOSFET N-CH Si 100V 100A 8-Pin VSONP EP T/R
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
250+63.98 грн
Мінімальне замовлення: 250
В кошику  од. на суму  грн.
CSD19533Q5AT CSD19533Q5AT Виробник : Texas Instruments suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd19533q5a Trans MOSFET N-CH Si 100V 100A 8-Pin VSONP EP T/R
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
250+63.98 грн
Мінімальне замовлення: 250
В кошику  од. на суму  грн.
CSD19533Q5AT CSD19533Q5AT Виробник : Texas Instruments TexasInstruments.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 11,1mOhm; 100A; 96W; -55°C ~ 150°C; CSD19533Q5AT CSD19533Q5A TCSD19533q5a
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 20 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+127.25 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
CSD19533Q5AT CSD19533Q5AT Виробник : TEXAS INSTRUMENTS suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd19533q5a Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 100A; 96W; VSONP8; 5x6mm
Dimensions: 5x6mm
Case: VSONP8
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Technology: NexFET™
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Gate charge: 27nC
On-state resistance: 7.8mΩ
Drain current: 100A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 96W
Drain-source voltage: 100V
на замовлення 61 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+147.84 грн
5+112.17 грн
10+99.61 грн
25+82.87 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
CSD19533Q5AT CSD19533Q5AT Виробник : Texas Instruments suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd19533q5a Description: MOSFET N-CH 100V 100A 8VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.4mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2670 pF @ 50 V
на замовлення 513 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+158.03 грн
10+101.40 грн
100+73.13 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
CSD19533Q5AT CSD19533Q5AT Виробник : Texas Instruments suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd19533q5a MOSFETs 100V 7.8mOhm SON5x6 N-ch NexFET A 595-CSD19533Q5A
на замовлення 592 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+211.75 грн
10+135.15 грн
100+86.93 грн
500+72.32 грн
1000+62.17 грн
2500+59.18 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
CSD19533Q5AT CSD19533Q5AT Виробник : Texas Instruments suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd19533q5a Trans MOSFET N-CH Si 100V 100A 8-Pin VSONP EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD19533Q5AT CSD19533Q5AT Виробник : Texas Instruments suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd19533q5a Trans MOSFET N-CH Si 100V 100A 8-Pin VSONP EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.