CSD19534KCS Texas Instruments
на замовлення 1810 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1000+ | 43.10 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис CSD19534KCS Texas Instruments
Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD19534KCS - MOSFET, N-CH, 100V, 100A, TO-220AB-3, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 118W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0137ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).
Інші пропозиції CSD19534KCS за ціною від 49.43 грн до 204.21 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
CSD19534KCS | Виробник : TEXAS INSTRUMENTS |
 Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 100A; 118W; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: NexFET™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 100A Power dissipation: 118W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 13.7mΩ Mounting: THT Gate charge: 16.4nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Heatsink thickness: 1.14...1.4mm |
на замовлення 139 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
CSD19534KCS | Виробник : TEXAS INSTRUMENTS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 100A; 118W; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: NexFET™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 100A Power dissipation: 118W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 13.7mΩ Mounting: THT Gate charge: 16.4nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Heatsink thickness: 1.14...1.4mm кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 139 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
CSD19534KCS | Виробник : Texas Instruments |
Description: MOSFET N-CH 100V 100A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.5mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 118W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1670 pF @ 50 V |
на замовлення 353 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
CSD19534KCS | Виробник : Texas Instruments |
MOSFETs 100V N-Channel NexFE T Pwr MOSFET |
на замовлення 1086 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| CSD19534KCS | Виробник : Texas Instruments |
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 20mOhm; 100A; 118W; -55°C ~ 175°C; CSD19534KCS TCSD19534kcs кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 50 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| CSD19534KCS | Виробник : TEXAS INSTRUMENTS |
Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD19534KCS - MOSFET, N-CH, 100V, 100A, TO-220AB-3 tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 118W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0137ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
на замовлення 700 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
 |
CSD19534KCS | Виробник : Texas Instruments |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
CSD19534KCS | Виробник : Texas Instruments |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
CSD19534KCS | Виробник : Texas Instruments |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
товару немає в наявності |