Продукція > TEXAS INSTRUMENTS > CSD19534KCS
CSD19534KCS

CSD19534KCS Texas Instruments

TexasInstruments.pdf
Виробник: Texas Instruments
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 20mOhm; 100A; 118W; -55°C ~ 175°C; CSD19534KCS TCSD19534kcs
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
20+53.22 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис CSD19534KCS Texas Instruments

Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD19534KCS - MOSFET, N-CH, 100V, 100A, TO-220AB-3, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 118W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0137ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).

Інші пропозиції CSD19534KCS за ціною від 32.24 грн до 182.83 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
CSD19534KCS CSD19534KCS Texas Instruments suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd19534kcs Description: MOSFET N-CH 100V 100A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 118W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1670 pF @ 50 V
на замовлення 1167 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+134.36 грн
50+62.27 грн
100+55.76 грн
500+41.59 грн
1000+38.14 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD19534KCS CSD19534KCS Texas Instruments suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd19534kcs MOSFETs 100V N-Channel NexFE T Pwr MOSFET
на замовлення 135 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+140.14 грн
10+67.08 грн
100+52.19 грн
500+41.42 грн
1000+35.07 грн
2500+34.38 грн
5000+32.24 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD19534KCS TEXAS INSTRUMENTS suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd19534kcs Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD19534KCS - MOSFET, N-CH, 100V, 100A, TO-220AB-3
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 118W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0137ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+182.83 грн
10+116.78 грн
100+114.37 грн
500+103.21 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD19534KCS suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd19534kcs
CSD19534KCS
Виробник: Texas Instruments
Description: MOSFET N-CH 100V 100A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 118W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1670 pF @ 50 V
на замовлення 1167 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+134.36 грн
50+62.27 грн
100+55.76 грн
500+41.59 грн
1000+38.14 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD19534KCS suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd19534kcs
CSD19534KCS
Виробник: Texas Instruments
MOSFETs 100V N-Channel NexFE T Pwr MOSFET
на замовлення 135 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+140.14 грн
10+67.08 грн
100+52.19 грн
500+41.42 грн
1000+35.07 грн
2500+34.38 грн
5000+32.24 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD19534KCS suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd19534kcs
Виробник: TEXAS INSTRUMENTS
Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD19534KCS - MOSFET, N-CH, 100V, 100A, TO-220AB-3
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 118W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0137ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+182.83 грн
10+116.78 грн
100+114.37 грн
500+103.21 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.