CSD19534Q5A Texas Instruments
Виробник: Texas Instruments
Description: MOSFET N-CH 100V 50A 8VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.1mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1680 pF @ 50 V
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2500+ | 26.51 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис CSD19534Q5A Texas Instruments
Description: MOSFET N-CH 100V 50A 8VSON, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.1mOhm @ 10A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 63W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1680 pF @ 50 V.
Інші пропозиції CSD19534Q5A за ціною від 23.50 грн до 104.83 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
CSD19534Q5A | Виробник : TEXAS INSTRUMENTS |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 50A; 63W; VSONP8; 5x6mm Dimensions: 5x6mm Case: VSONP8 Kind of channel: enhancement Mounting: SMD Technology: NexFET™ Type of transistor: N-MOSFET Kind of package: reel; tape Polarisation: unipolar Gate charge: 17nC On-state resistance: 12.6mΩ Drain current: 50A Gate-source voltage: ±20V Power dissipation: 63W Drain-source voltage: 100V |
на замовлення 651 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
CSD19534Q5A | Виробник : Texas Instruments |
MOSFETs N-Channel MOSFET A 5 95-CSD19534Q5AT A 5 A 595-CSD19534Q5AT |
на замовлення 364 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
CSD19534Q5A | Виробник : Texas Instruments |
Description: MOSFET N-CH 100V 50A 8VSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.1mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 63W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1680 pF @ 50 V |
на замовлення 61627 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
CSD19534Q5A | Виробник : Texas Instruments |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 50A 8-Pin VSONP EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
CSD19534Q5A | Виробник : Texas Instruments |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 50A 8-Pin VSONP EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
| CSD19534Q5A | Виробник : Texas Instruments |
MOSFET N-CH 100V 50A 8VSON Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
товару немає в наявності |