Продукція > TEXAS INSTRUMENTS > CSD19534Q5AT
CSD19534Q5AT

CSD19534Q5AT Texas Instruments

suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd19534q5a
Виробник: Texas Instruments
Description: MOSFET N-CH 100V 50A 8VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.1mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1680 pF @ 50 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
250+66.66 грн
500+58.61 грн
750+55.75 грн
1250+49.32 грн
1750+47.54 грн
2500+45.81 грн
Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис CSD19534Q5AT Texas Instruments

Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD19534Q5AT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 50 A, 0.0151 ohm, VSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 50A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: -, Verlustleistung Pd: 63W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V, Verlustleistung: 63W, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018), Bauform - Transistor: VSON, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0126ohm, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0151ohm.

Інші пропозиції CSD19534Q5AT за ціною від 73.23 грн до 173.62 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
CSD19534Q5AT CSD19534Q5AT Texas Instruments suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd19534q5a Trans MOSFET N-CH Si 100V 50A 8-Pin VSONP EP T/R
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+80.27 грн
Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD19534Q5AT CSD19534Q5AT Texas Instruments suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd19534q5a Trans MOSFET N-CH Si 100V 50A 8-Pin VSONP EP T/R
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+80.27 грн
Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD19534Q5AT CSD19534Q5AT Texas Instruments suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd19534q5a Description: MOSFET N-CH 100V 50A 8VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.1mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1680 pF @ 50 V
на замовлення 5033 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+173.62 грн
10+107.39 грн
100+73.23 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD19534Q5AT CSD19534Q5AT TEXAS INSTRUMENTS suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd19534q5a Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD19534Q5AT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 50 A, 0.0151 ohm, VSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
Verlustleistung: 63W
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Bauform - Transistor: VSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0151ohm
на замовлення 160 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
CSD19534Q5AT CSD19534Q5AT Texas Instruments suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd19534q5a MOSFETs 100V NCh NexFET A 59 5-CSD19534Q5A A 595 A 595-CSD19534Q5A
на замовлення 3037 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
CSD19534Q5AT CSD19534Q5AT TEXAS INSTRUMENTS suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd19534q5a Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD19534Q5AT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 50 A, 0.0151 ohm, VSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Verlustleistung Pd: 63W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
Verlustleistung: 63W
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Bauform - Transistor: VSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0126ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0151ohm
на замовлення 160 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD19534Q5AT suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd19534q5a
CSD19534Q5AT
Виробник: Texas Instruments
Trans MOSFET N-CH Si 100V 50A 8-Pin VSONP EP T/R
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
250+80.27 грн
Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD19534Q5AT suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd19534q5a
CSD19534Q5AT
Виробник: Texas Instruments
Trans MOSFET N-CH Si 100V 50A 8-Pin VSONP EP T/R
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
250+80.27 грн
Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD19534Q5AT suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd19534q5a
CSD19534Q5AT
Виробник: Texas Instruments
Description: MOSFET N-CH 100V 50A 8VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.1mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1680 pF @ 50 V
на замовлення 5033 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+173.62 грн
10+107.39 грн
100+73.23 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD19534Q5AT suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd19534q5a
CSD19534Q5AT
Виробник: TEXAS INSTRUMENTS
Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD19534Q5AT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 50 A, 0.0151 ohm, VSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
Verlustleistung: 63W
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Bauform - Transistor: VSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0151ohm
на замовлення 160 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
CSD19534Q5AT suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd19534q5a
CSD19534Q5AT
Виробник: Texas Instruments
MOSFETs 100V NCh NexFET A 59 5-CSD19534Q5A A 595 A 595-CSD19534Q5A
на замовлення 3037 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
CSD19534Q5AT suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd19534q5a
CSD19534Q5AT
Виробник: TEXAS INSTRUMENTS
Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD19534Q5AT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 50 A, 0.0151 ohm, VSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Verlustleistung Pd: 63W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
Verlustleistung: 63W
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Bauform - Transistor: VSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0126ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0151ohm
на замовлення 160 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.