CSD19534Q5AT Texas Instruments
Виробник: Texas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 100V 50A 8VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.1mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1680 pF @ 50 V
на замовлення 6250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 250+ | 64.25 грн |
| 500+ | 54.79 грн |
| 750+ | 52.29 грн |
| 1250+ | 47.17 грн |
| 1750+ | 45.82 грн |
| 2500+ | 44.15 грн |
| 6250+ | 41.63 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис CSD19534Q5AT Texas Instruments
Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD19534Q5AT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 50 A, 0.0126 ohm, VSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 50A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 63W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 63W, Bauform - Transistor: VSON, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0126ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0126ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).
Інші пропозиції CSD19534Q5AT за ціною від 45.25 грн до 153.29 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
CSD19534Q5AT | Виробник : TEXAS INSTRUMENTS |
Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD19534Q5AT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 50 A, 0.0126 ohm, VSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 50A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 63W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 63W Bauform - Transistor: VSON Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0126ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0126ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
на замовлення 263 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
CSD19534Q5AT | Виробник : Texas Instruments |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 50A 8-Pin VSONP EP T/R |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
CSD19534Q5AT | Виробник : TEXAS INSTRUMENTS |
Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD19534Q5AT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 50 A, 0.0126 ohm, VSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 50A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 63W Bauform - Transistor: VSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0126ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
на замовлення 263 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
CSD19534Q5AT | Виробник : Texas Instruments |
MOSFETs 100V NCh NexFET A 595-CSD19534Q5A |
на замовлення 486 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
CSD19534Q5AT | Виробник : Texas Instruments |
Description: MOSFET N-CH 100V 50A 8VSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.1mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 63W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1680 pF @ 50 V |
на замовлення 6440 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
CSD19534Q5AT | Виробник : Texas Instruments |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 50A 8-Pin VSONP EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
|
CSD19534Q5AT | Виробник : Texas Instruments |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 50A 8-Pin VSONP EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
|
CSD19534Q5AT | Виробник : Texas Instruments |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 50A 8-Pin VSONP EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
 |
CSD19534Q5AT | Виробник : Texas Instruments |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 50A 8-Pin VSONP EP T/R |
товару немає в наявності |