Продукція > TEXAS INSTRUMENTS > CSD19534Q5AT
CSD19534Q5AT

CSD19534Q5AT Texas Instruments

suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd19534q5a Виробник: Texas Instruments
Description: MOSFET N-CH 100V 50A 8VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.1mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1680 pF @ 50 V
на замовлення 3500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
250+61.69 грн
500+51.05 грн
750+49.50 грн
1250+46.19 грн
1750+46.04 грн
2500+45.78 грн
Мінімальне замовлення: 250
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис CSD19534Q5AT Texas Instruments

Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD19534Q5AT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 50 A, 0.0126 ohm, VSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 50A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 63W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 63W, Bauform - Transistor: VSON, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0126ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0126ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).

Інші пропозиції CSD19534Q5AT за ціною від 41.26 грн до 128.74 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
CSD19534Q5AT CSD19534Q5AT Виробник : Texas Instruments suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd19534q5a Trans MOSFET N-CH Si 100V 50A 8-Pin VSONP EP T/R
на замовлення 14750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
250+61.90 грн
500+53.31 грн
750+50.11 грн
1250+47.84 грн
1750+43.85 грн
2500+41.67 грн
6250+41.26 грн
Мінімальне замовлення: 250
В кошику  од. на суму  грн.
CSD19534Q5AT CSD19534Q5AT Виробник : TEXAS INSTRUMENTS suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd19534q5a Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD19534Q5AT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 50 A, 0.0126 ohm, VSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 63W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 63W
Bauform - Transistor: VSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0126ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0126ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 263 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+73.04 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
CSD19534Q5AT CSD19534Q5AT Виробник : Texas Instruments suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd19534q5a Description: MOSFET N-CH 100V 50A 8VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.1mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1680 pF @ 50 V
на замовлення 3840 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+118.58 грн
10+94.41 грн
100+66.83 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
CSD19534Q5AT CSD19534Q5AT Виробник : TEXAS INSTRUMENTS suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd19534q5a Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD19534Q5AT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 50 A, 0.0126 ohm, VSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 63W
Bauform - Transistor: VSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0126ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 263 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+124.62 грн
10+103.16 грн
100+73.04 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
CSD19534Q5AT CSD19534Q5AT Виробник : Texas Instruments suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd19534q5a MOSFETs 100V NCh NexFET A 595-CSD19534Q5A
на замовлення 6323 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+128.74 грн
10+104.91 грн
100+64.81 грн
250+57.60 грн
500+50.69 грн
1000+48.19 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
CSD19534Q5AT CSD19534Q5AT Виробник : Texas Instruments suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd19534q5a Trans MOSFET N-CH Si 100V 50A 8-Pin VSONP EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD19534Q5AT CSD19534Q5AT Виробник : Texas Instruments suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd19534q5a Trans MOSFET N-CH Si 100V 50A 8-Pin VSONP EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD19534Q5AT CSD19534Q5AT Виробник : Texas Instruments suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd19534q5a Trans MOSFET N-CH Si 100V 50A 8-Pin VSONP EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD19534Q5AT CSD19534Q5AT Виробник : Texas Instruments getliterature.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 50A 8-Pin VSONP EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD19534Q5AT CSD19534Q5AT Виробник : TEXAS INSTRUMENTS suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd19534q5a Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 50A; 63W; VSONP8; 5x6mm
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: NexFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 50A
Power dissipation: 63W
Case: VSONP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 17nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Dimensions: 5x6mm
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD19534Q5AT CSD19534Q5AT Виробник : TEXAS INSTRUMENTS suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd19534q5a Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 50A; 63W; VSONP8; 5x6mm
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: NexFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 50A
Power dissipation: 63W
Case: VSONP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 17nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Dimensions: 5x6mm
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.