Продукція > TEXAS INSTRUMENTS > CSD19534Q5AT
CSD19534Q5AT

CSD19534Q5AT TEXAS INSTRUMENTS

suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd19534q5a
Виробник: TEXAS INSTRUMENTS
Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD19534Q5AT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 50 A, 0.0151 ohm, VSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 63W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 63W
Bauform - Transistor: VSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0126ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0151ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 160 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+62.98 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис CSD19534Q5AT TEXAS INSTRUMENTS

Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD19534Q5AT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 50 A, 0.0151 ohm, VSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 50A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 63W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 63W, Bauform - Transistor: VSON, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0126ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0151ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).

Інші пропозиції CSD19534Q5AT за ціною від 44.11 грн до 175.58 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
CSD19534Q5AT CSD19534Q5AT Texas Instruments suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd19534q5a Description: MOSFET N-CH 100V 50A 8VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.1mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1680 pF @ 50 V
на замовлення 11250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+64.19 грн
500+56.43 грн
750+53.69 грн
1250+47.49 грн
1750+45.78 грн
2500+44.11 грн
Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD19534Q5AT CSD19534Q5AT Texas Instruments suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd19534q5a Trans MOSFET N-CH Si 100V 50A 8-Pin VSONP EP T/R
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+81.12 грн
Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD19534Q5AT CSD19534Q5AT Texas Instruments suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd19534q5a Trans MOSFET N-CH Si 100V 50A 8-Pin VSONP EP T/R
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+81.12 грн
Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD19534Q5AT CSD19534Q5AT TEXAS INSTRUMENTS suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd19534q5a Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD19534Q5AT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 50 A, 0.0151 ohm, VSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 63W
Bauform - Transistor: VSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0151ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 160 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+164.30 грн
10+106.31 грн
100+62.98 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD19534Q5AT CSD19534Q5AT Texas Instruments suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd19534q5a Description: MOSFET N-CH 100V 50A 8VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.1mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1680 pF @ 50 V
на замовлення 11289 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+166.98 грн
10+103.43 грн
100+70.52 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD19534Q5AT CSD19534Q5AT Texas Instruments suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd19534q5a MOSFETs 100V NCh NexFET A 59 5-CSD19534Q5A A 595 A 595-CSD19534Q5A
на замовлення 3037 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+175.58 грн
10+111.14 грн
100+57.78 грн
500+50.12 грн
1000+45.56 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD19534Q5AT suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd19534q5a
CSD19534Q5AT
Виробник: Texas Instruments
Description: MOSFET N-CH 100V 50A 8VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.1mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1680 pF @ 50 V
на замовлення 11250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
250+64.19 грн
500+56.43 грн
750+53.69 грн
1250+47.49 грн
1750+45.78 грн
2500+44.11 грн
Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD19534Q5AT suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd19534q5a
CSD19534Q5AT
Виробник: Texas Instruments
Trans MOSFET N-CH Si 100V 50A 8-Pin VSONP EP T/R
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
250+81.12 грн
Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD19534Q5AT suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd19534q5a
CSD19534Q5AT
Виробник: Texas Instruments
Trans MOSFET N-CH Si 100V 50A 8-Pin VSONP EP T/R
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
250+81.12 грн
Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD19534Q5AT suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd19534q5a
CSD19534Q5AT
Виробник: TEXAS INSTRUMENTS
Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD19534Q5AT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 50 A, 0.0151 ohm, VSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 63W
Bauform - Transistor: VSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0151ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 160 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
5+164.30 грн
10+106.31 грн
100+62.98 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD19534Q5AT suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd19534q5a
CSD19534Q5AT
Виробник: Texas Instruments
Description: MOSFET N-CH 100V 50A 8VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.1mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1680 pF @ 50 V
на замовлення 11289 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+166.98 грн
10+103.43 грн
100+70.52 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD19534Q5AT suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd19534q5a
CSD19534Q5AT
Виробник: Texas Instruments
MOSFETs 100V NCh NexFET A 59 5-CSD19534Q5A A 595 A 595-CSD19534Q5A
на замовлення 3037 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
2+175.58 грн
10+111.14 грн
100+57.78 грн
500+50.12 грн
1000+45.56 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.