CSD19535KCS TEXAS INSTRUMENTS
Виробник: TEXAS INSTRUMENTS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 150A; 300W; TO220-3
Case: TO220-3
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Technology: NexFET™
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate charge: 78nC
Heatsink thickness: 1.14...1.4mm
On-state resistance: 3.1mΩ
Drain current: 150A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 300W
Drain-source voltage: 100V
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 285.12 грн |
| 10+ | 161.19 грн |
| 50+ | 153.67 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис CSD19535KCS TEXAS INSTRUMENTS
Description: MOSFET N-CH 100V 150A TO220-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 100A, 10V, Power Dissipation (Max): 300W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 101 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7930 pF @ 50 V.
Інші пропозиції CSD19535KCS за ціною від 98.09 грн до 316.51 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
CSD19535KCS | Виробник : Texas Instruments |
Description: MOSFET N-CH 100V 150A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 101 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7930 pF @ 50 V |
на замовлення 4231 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
CSD19535KCS | Виробник : Texas Instruments |
MOSFETs 100V N-CH NexFET Pwr MOSFET |
на замовлення 1645 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
CSD19535KCS | Виробник : Texas Instruments |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
|
CSD19535KCS | Виробник : Texas Instruments |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
|
CSD19535KCS | Виробник : Texas Instruments |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
товару немає в наявності |