CSD19535KCS Texas Instruments
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 50+ | 108.44 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис CSD19535KCS Texas Instruments
Description: MOSFET N-CH 100V 150A TO220-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 100A, 10V, Power Dissipation (Max): 300W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 101 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7930 pF @ 50 V.
Інші пропозиції CSD19535KCS за ціною від 102.80 грн до 355.88 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
CSD19535KCS | Виробник : TEXAS INSTRUMENTS |
 Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 150A; 300W; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: NexFET™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 150A Power dissipation: 300W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3.1mΩ Mounting: THT Gate charge: 78nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Heatsink thickness: 1.14...1.4mm |
на замовлення 538 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
CSD19535KCS | Виробник : Texas Instruments |
Description: MOSFET N-CH 100V 150A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 101 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7930 pF @ 50 V |
на замовлення 4299 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
CSD19535KCS | Виробник : Texas Instruments |
MOSFETs 100V N-CH NexFET Pwr MOSFET |
на замовлення 1645 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
CSD19535KCS | Виробник : TEXAS INSTRUMENTS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 150A; 300W; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: NexFET™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 150A Power dissipation: 300W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3.1mΩ Mounting: THT Gate charge: 78nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Heatsink thickness: 1.14...1.4mm кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 538 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
CSD19535KCS | Виробник : Texas Instruments |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
|
CSD19535KCS | Виробник : Texas Instruments |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
|
CSD19535KCS | Виробник : Texas Instruments |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
товару немає в наявності |