CSD19535KTTT Texas Instruments
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 66+ | 189.86 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис CSD19535KTTT Texas Instruments
Description: MOSFET N-CH 100V 200A DDPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 100A, 10V, Power Dissipation (Max): 300W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-263 (DDPAK-3), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7930 pF @ 50 V.
Інші пропозиції CSD19535KTTT за ціною від 156.20 грн до 448.49 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
CSD19535KTTT | Виробник : Texas Instruments |
 Trans MOSFET N-CH Si 100V 200A 3-Pin(2+Tab) DDPAK T/R |
на замовлення 150 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
CSD19535KTTT | Виробник : Texas Instruments |
Description: MOSFET N-CH 100V 200A DDPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (DDPAK-3) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7930 pF @ 50 V |
на замовлення 6500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
CSD19535KTTT | Виробник : Texas Instruments |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 200A 3-Pin(2+Tab) DDPAK T/R |
на замовлення 200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
CSD19535KTTT | Виробник : TEXAS INSTRUMENTS |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 200A; Idm: 400A; 300W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: NexFET™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 200A Pulsed drain current: 400A Power dissipation: 300W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 4.1mΩ Mounting: SMD Gate charge: 75nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
на замовлення 150 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
CSD19535KTTT | Виробник : TEXAS INSTRUMENTS |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 200A; Idm: 400A; 300W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: NexFET™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 200A Pulsed drain current: 400A Power dissipation: 300W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 4.1mΩ Mounting: SMD Gate charge: 75nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 150 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
CSD19535KTTT | Виробник : Texas Instruments |
Description: MOSFET N-CH 100V 200A DDPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (DDPAK-3) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7930 pF @ 50 V |
на замовлення 6567 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
CSD19535KTTT | Виробник : Texas Instruments |
MOSFETs 100V N-Channel NexFE T Power MOSFET A 595-CSD19535KTT |
на замовлення 536 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
CSD19535KTTT | Виробник : Texas Instruments |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 200A 4-Pin(3+Tab) DDPAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
CSD19535KTTT | Виробник : Texas Instruments |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 200A 3-Pin(2+Tab) DDPAK T/R |
товару немає в наявності |