Продукція > TEXAS INSTRUMENTS > CSD19535KTTT
CSD19535KTTT

CSD19535KTTT Texas Instruments

suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd19535ktt
Виробник: Texas Instruments
Description: MOSFET N-CH 100V 200A DDPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (DDPAK-3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7930 pF @ 50 V
на замовлення 5450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
50+232.68 грн
100+204.89 грн
150+195.11 грн
250+172.80 грн
350+166.69 грн
500+160.76 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис CSD19535KTTT Texas Instruments

Description: MOSFET N-CH 100V 200A DDPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 100A, 10V, Power Dissipation (Max): 300W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-263 (DDPAK-3), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7930 pF @ 50 V.

Інші пропозиції CSD19535KTTT за ціною від 151.88 грн до 438.80 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
CSD19535KTTT CSD19535KTTT TEXAS INSTRUMENTS suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd19535ktt Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 200A; Idm: 400A; 300W; D2PAK
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 75nC
On-state resistance: 4.1mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 200A
Drain-source voltage: 100V
Pulsed drain current: 400A
Power dissipation: 300W
Technology: NexFET™
Kind of channel: enhancement
на замовлення 145 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+307.84 грн
3+262.59 грн
10+213.56 грн
50+185.31 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD19535KTTT CSD19535KTTT Texas Instruments suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd19535ktt MOSFETs 100V N-Channel NexFE T Power MOSFET A 595-CSD19535KTT
на замовлення 536 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+403.50 грн
10+192.12 грн
50+167.06 грн
100+151.88 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CSD19535KTTT CSD19535KTTT Texas Instruments suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd19535ktt Description: MOSFET N-CH 100V 200A DDPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (DDPAK-3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7930 pF @ 50 V
на замовлення 5503 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+438.80 грн
10+283.67 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CSD19535KTTT suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd19535ktt
CSD19535KTTT
Виробник: TEXAS INSTRUMENTS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 200A; Idm: 400A; 300W; D2PAK
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 75nC
On-state resistance: 4.1mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 200A
Drain-source voltage: 100V
Pulsed drain current: 400A
Power dissipation: 300W
Technology: NexFET™
Kind of channel: enhancement
на замовлення 145 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+307.84 грн
3+262.59 грн
10+213.56 грн
50+185.31 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD19535KTTT suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd19535ktt
CSD19535KTTT
Виробник: Texas Instruments
MOSFETs 100V N-Channel NexFE T Power MOSFET A 595-CSD19535KTT
на замовлення 536 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+403.50 грн
10+192.12 грн
50+167.06 грн
100+151.88 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CSD19535KTTT suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd19535ktt
CSD19535KTTT
Виробник: Texas Instruments
Description: MOSFET N-CH 100V 200A DDPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (DDPAK-3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7930 pF @ 50 V
на замовлення 5503 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+438.80 грн
10+283.67 грн
В кошику  од. на суму  грн.