CSD19535KTTT

CSD19535KTTT Texas Instruments


suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd19535ktt Виробник: Texas Instruments
Trans MOSFET N-CH Si 100V 200A 3-Pin(2+Tab) DDPAK T/R
на замовлення 350 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
50+142.56 грн
100+139.32 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис CSD19535KTTT Texas Instruments

Description: MOSFET N-CH 100V 200A DDPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-4, D2PAK (3 Leads + Tab), TO-263AA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 100A, 10V, Power Dissipation (Max): 300W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-263 (DDPAK-3), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7930 pF @ 50 V.

Інші пропозиції CSD19535KTTT за ціною від 136.99 грн до 349.03 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
CSD19535KTTT CSD19535KTTT Виробник : Texas Instruments suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd19535ktt Trans MOSFET N-CH Si 100V 200A 3-Pin(2+Tab) DDPAK T/R
на замовлення 350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
80+153.52 грн
Мінімальне замовлення: 80
В кошику  од. на суму  грн.
CSD19535KTTT CSD19535KTTT Виробник : Texas Instruments suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd19535ktt Description: MOSFET N-CH 100V 200A DDPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-4, D2PAK (3 Leads + Tab), TO-263AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (DDPAK-3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7930 pF @ 50 V
на замовлення 8200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
50+171.80 грн
100+151.15 грн
150+150.03 грн
250+136.99 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
CSD19535KTTT CSD19535KTTT Виробник : TEXAS INSTRUMENTS suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd19535ktt Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 200A; Idm: 400A; 300W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 300W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain current: 200A
On-state resistance: 4.1mΩ
Gate charge: 75nC
Technology: NexFET™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 400A
Drain-source voltage: 100V
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+280.64 грн
3+234.30 грн
5+195.64 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
CSD19535KTTT CSD19535KTTT Виробник : Texas Instruments suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd19535ktt Description: MOSFET N-CH 100V 200A DDPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-4, D2PAK (3 Leads + Tab), TO-263AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (DDPAK-3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7930 pF @ 50 V
на замовлення 8248 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+330.84 грн
10+234.61 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CSD19535KTTT CSD19535KTTT Виробник : TEXAS INSTRUMENTS suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd19535ktt Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 200A; Idm: 400A; 300W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 300W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain current: 200A
On-state resistance: 4.1mΩ
Gate charge: 75nC
Technology: NexFET™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 400A
Drain-source voltage: 100V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+336.77 грн
3+291.98 грн
5+234.77 грн
13+222.70 грн
50+213.42 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CSD19535KTTT CSD19535KTTT Виробник : Texas Instruments suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd19535ktt MOSFETs 100V N-Channel NexFE T Power MOSFET A 595-CSD19535KTT
на замовлення 556 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+349.03 грн
10+252.69 грн
50+155.15 грн
100+144.76 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CSD19535KTTT CSD19535KTTT Виробник : Texas Instruments getliterature.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 200A 4-Pin(3+Tab) DDPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD19535KTTT CSD19535KTTT Виробник : Texas Instruments suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd19535ktt Trans MOSFET N-CH Si 100V 200A 3-Pin(2+Tab) DDPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.