Інші пропозиції CSD19536KCS за ціною від 150.86 грн до 421.84 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
CSD19536KCS | TEXAS INSTRUMENTS |
 Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 150A; 375W; TO220-3 Power dissipation: 375W Gate charge: 118nC Polarisation: unipolar Technology: NexFET™ Drain current: 150A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 100V Heatsink thickness: 1.14...1.4mm Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±20V Kind of package: tube Case: TO220-3 On-state resistance: 2.3mΩ Mounting: THT |
на замовлення 282 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
CSD19536KCS | Texas Instruments |
Description: MOSFET N-CH 100V 150A TO220-3 Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: TO-220-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 3.2V @ 250µA Power Dissipation (Max): 375W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 100A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Packaging: Tube Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 50 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 153 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V |
на замовлення 7549 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
CSD19536KCS | Texas Instruments |
MOSFETs 100V N-CH NexFET Pwr MOSFET |
на замовлення 24 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| CSD19536KCS |
|
Виробник: TEXAS INSTRUMENTS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 150A; 375W; TO220-3
Power dissipation: 375W
Gate charge: 118nC
Polarisation: unipolar
Technology: NexFET™
Drain current: 150A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 100V
Heatsink thickness: 1.14...1.4mm
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
Case: TO220-3
On-state resistance: 2.3mΩ
Mounting: THT
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 150A; 375W; TO220-3
Power dissipation: 375W
Gate charge: 118nC
Polarisation: unipolar
Technology: NexFET™
Drain current: 150A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 100V
Heatsink thickness: 1.14...1.4mm
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
Case: TO220-3
On-state resistance: 2.3mΩ
Mounting: THT
на замовлення 282 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 274.03 грн |
| 10+ | 213.80 грн |
| 25+ | 207.01 грн |
| CSD19536KCS |
|
Виробник: Texas Instruments
Description: MOSFET N-CH 100V 150A TO220-3
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 100A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 153 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Description: MOSFET N-CH 100V 150A TO220-3
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 100A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 153 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
на замовлення 7549 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 421.84 грн |
| 10+ | 270.45 грн |
| 50+ | 212.29 грн |
| 100+ | 181.64 грн |
| 500+ | 150.86 грн |
| CSD19536KCS |
|
Виробник: Texas Instruments
MOSFETs 100V N-CH NexFET Pwr MOSFET
MOSFETs 100V N-CH NexFET Pwr MOSFET
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)