CSD19536KCS Texas Instruments
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 50+ | 141.57 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис CSD19536KCS Texas Instruments
Description: MOSFET N-CH 100V 150A TO220-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 100A, 10V, Power Dissipation (Max): 375W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.2V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 153 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 50 V.
Інші пропозиції CSD19536KCS за ціною від 133.67 грн до 368.62 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
CSD19536KCS | Виробник : Texas Instruments |
 Trans MOSFET N-CH Si 100V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 250 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
CSD19536KCS | Виробник : Texas Instruments |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 250 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
CSD19536KCS | Виробник : Texas Instruments |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 50 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
CSD19536KCS | Виробник : Texas Instruments |
Description: MOSFET N-CH 100V 150A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 375W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.2V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 153 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 50 V |
на замовлення 1932 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
CSD19536KCS | Виробник : Texas Instruments |
MOSFET 100V N-CH NexFET Pwr MOSFET |
на замовлення 4427 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
CSD19536KCS | Виробник : TEXAS INSTRUMENTS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 150A; 375W; TO220-3 Mounting: THT Case: TO220-3 Drain-source voltage: 100V Drain current: 150A On-state resistance: 2.3mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 375W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Gate charge: 118nC Technology: NexFET™ Heatsink thickness: 1.14...1.4mm Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V |
на замовлення 573 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
CSD19536KCS | Виробник : TEXAS INSTRUMENTS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 150A; 375W; TO220-3 Mounting: THT Case: TO220-3 Drain-source voltage: 100V Drain current: 150A On-state resistance: 2.3mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 375W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Gate charge: 118nC Technology: NexFET™ Heatsink thickness: 1.14...1.4mm Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 573 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
CSD19536KCS Код товару: 171204 |
Транзистори > Польові N-канальні |
товар відсутній
|
|||||||||||||||||||
|
|
CSD19536KCS | Виробник : Texas Instruments |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
CSD19536KCS | Виробник : Texas Instruments |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
товар відсутній |