Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > CSD19536KCS

CSD19536KCS

suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd19536kcs
Код товару: 171204
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції CSD19536KCS за ціною від 128.68 грн до 359.58 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
CSD19536KCS CSD19536KCS TEXAS INSTRUMENTS suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd19536kcs Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 150A; 375W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: NexFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 150A
Power dissipation: 375W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 118nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Heatsink thickness: 1.14...1.4mm
на замовлення 290 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+266.74 грн
10+208.57 грн
25+201.09 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD19536KCS CSD19536KCS Texas Instruments suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd19536kcs MOSFETs 100V N-CH NexFET Pwr MOSFET
на замовлення 1912 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+355.18 грн
10+192.12 грн
100+151.18 грн
500+136.69 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CSD19536KCS CSD19536KCS Texas Instruments suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd19536kcs Description: MOSFET N-CH 100V 150A TO220-3
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 100A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 153 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
на замовлення 628 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+359.58 грн
50+181.07 грн
100+165.10 грн
500+128.68 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CSD19536KCS suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd19536kcs
CSD19536KCS
Виробник: TEXAS INSTRUMENTS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 150A; 375W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: NexFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 150A
Power dissipation: 375W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 118nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Heatsink thickness: 1.14...1.4mm
на замовлення 290 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна
2+266.74 грн
10+208.57 грн
25+201.09 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD19536KCS suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd19536kcs
CSD19536KCS
Виробник: Texas Instruments
MOSFETs 100V N-CH NexFET Pwr MOSFET
на замовлення 1912 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
1+355.18 грн
10+192.12 грн
100+151.18 грн
500+136.69 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CSD19536KCS suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd19536kcs
CSD19536KCS
Виробник: Texas Instruments
Description: MOSFET N-CH 100V 150A TO220-3
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 100A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 153 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
на замовлення 628 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+359.58 грн
50+181.07 грн
100+165.10 грн
500+128.68 грн
В кошику  од. на суму  грн.