CSD19536KTT Texas Instruments
Виробник: Texas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 100V 200A DDPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-4, D2PAK (3 Leads + Tab), TO-263AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (DDPAK-3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 153 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 50 V
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 500+ | 175.99 грн |
| 1000+ | 145.11 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис CSD19536KTT Texas Instruments
Description: MOSFET N-CH 100V 200A DDPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-4, D2PAK (3 Leads + Tab), TO-263AA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 100A, 10V, Power Dissipation (Max): 375W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.2V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-263 (DDPAK-3), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 153 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 50 V.
Інші пропозиції CSD19536KTT за ціною від 132.1 грн до 354.23 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
CSD19536KTT | Виробник : Texas Instruments |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 200A 3-Pin(2+Tab) DDPAK T/R |
на замовлення 20500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
CSD19536KTT | Виробник : Texas Instruments |
Description: MOSFET N-CH 100V 200A DDPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-4, D2PAK (3 Leads + Tab), TO-263AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 375W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.2V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (DDPAK-3) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 153 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 50 V |
на замовлення 1225 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
CSD19536KTT | Виробник : Texas Instruments |
MOSFET 100-V, N channel NexFET™ power MOSFET, single D2PAK, 2.4 mOhm 2-DDPAK/TO-263 -55 to 175 |
на замовлення 1910 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
CSD19536KTT | Виробник : Texas Instruments |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 200A 3-Pin(2+Tab) DDPAK T/R |
на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
 |
CSD19536KTT Код товару: 115066 |
Транзистори > Польові N-канальні |
товар відсутній
|
||||||||||||||||||
 |
CSD19536KTT | Виробник : Texas Instruments |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 200A 4-Pin(3+Tab) DDPAK T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
CSD19536KTT | Виробник : Texas Instruments |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 200A 3-Pin(2+Tab) DDPAK T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
CSD19536KTT | Виробник : Texas Instruments |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 200A 3-Pin(2+Tab) DDPAK T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
| CSD19536KTT | Виробник : TEXAS INSTRUMENTS |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 200A; Idm: 400A; 375W; D2PAK Mounting: SMD Case: D2PAK Drain-source voltage: 100V Drain current: 200A On-state resistance: 2.8mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 375W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Technology: NexFET™ Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 400A кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
| CSD19536KTT | Виробник : TEXAS INSTRUMENTS |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 200A; Idm: 400A; 375W; D2PAK Mounting: SMD Case: D2PAK Drain-source voltage: 100V Drain current: 200A On-state resistance: 2.8mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 375W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Technology: NexFET™ Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 400A |
товар відсутній |