Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > CSD19536KTT
CSD19536KTT

CSD19536KTT

suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd19536ktt
Код товару: 115066
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції CSD19536KTT за ціною від 123.70 грн до 465.60 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
CSD19536KTT CSD19536KTT Texas Instruments suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd19536ktt Description: MOSFET N-CH 100V 200A DDPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (DDPAK-3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 153 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 50 V
на замовлення 8890 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+153.94 грн
1000+138.59 грн
1500+133.67 грн
2500+123.70 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD19536KTT CSD19536KTT Texas Instruments suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd19536ktt Trans MOSFET N-CH Si 100V 200A 3-Pin(2+Tab) DDPAK T/R
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+213.95 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD19536KTT CSD19536KTT Texas Instruments suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd19536ktt Trans MOSFET N-CH Si 100V 200A 3-Pin(2+Tab) DDPAK T/R
на замовлення 206 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+323.47 грн
10+270.65 грн
25+269.14 грн
100+206.31 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD19536KTT CSD19536KTT Texas Instruments suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd19536ktt Trans MOSFET N-CH Si 100V 200A 3-Pin(2+Tab) DDPAK T/R
на замовлення 206 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
44+323.47 грн
53+269.14 грн
100+206.31 грн
Мінімальне замовлення: 44 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD19536KTT CSD19536KTT Texas Instruments suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd19536ktt MOSFETs 100-V N channel Nex FET power MOSFET s A A 595-CSD19536KTTT
на замовлення 6830 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+364.85 грн
10+250.08 грн
100+156.02 грн
500+140.83 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CSD19536KTT CSD19536KTT Texas Instruments suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd19536ktt Description: MOSFET N-CH 100V 200A DDPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (DDPAK-3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 153 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 50 V
на замовлення 8890 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+387.54 грн
10+248.82 грн
100+178.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CSD19536KTT CSD19536KTT Texas Instruments suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd19536ktt Trans MOSFET N-CH Si 100V 200A 3-Pin(2+Tab) DDPAK T/R
на замовлення 78 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
32+447.11 грн
44+329.56 грн
Мінімальне замовлення: 32 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD19536KTT CSD19536KTT Texas Instruments suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd19536ktt MOSFET N-CH 100V 200A TO263 Транзистори
на замовлення 2 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
1+465.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CSD19536KTT suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd19536ktt
CSD19536KTT
Виробник: Texas Instruments
Description: MOSFET N-CH 100V 200A DDPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (DDPAK-3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 153 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 50 V
на замовлення 8890 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
500+153.94 грн
1000+138.59 грн
1500+133.67 грн
2500+123.70 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD19536KTT suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd19536ktt
CSD19536KTT
Виробник: Texas Instruments
Trans MOSFET N-CH Si 100V 200A 3-Pin(2+Tab) DDPAK T/R
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
500+213.95 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD19536KTT suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd19536ktt
CSD19536KTT
Виробник: Texas Instruments
Trans MOSFET N-CH Si 100V 200A 3-Pin(2+Tab) DDPAK T/R
на замовлення 206 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+323.47 грн
10+270.65 грн
25+269.14 грн
100+206.31 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD19536KTT suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd19536ktt
CSD19536KTT
Виробник: Texas Instruments
Trans MOSFET N-CH Si 100V 200A 3-Pin(2+Tab) DDPAK T/R
на замовлення 206 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
44+323.47 грн
53+269.14 грн
100+206.31 грн
Мінімальне замовлення: 44 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD19536KTT suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd19536ktt
CSD19536KTT
Виробник: Texas Instruments
MOSFETs 100-V N channel Nex FET power MOSFET s A A 595-CSD19536KTTT
на замовлення 6830 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
1+364.85 грн
10+250.08 грн
100+156.02 грн
500+140.83 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CSD19536KTT suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd19536ktt
CSD19536KTT
Виробник: Texas Instruments
Description: MOSFET N-CH 100V 200A DDPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (DDPAK-3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 153 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 50 V
на замовлення 8890 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+387.54 грн
10+248.82 грн
100+178.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CSD19536KTT suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd19536ktt
CSD19536KTT
Виробник: Texas Instruments
Trans MOSFET N-CH Si 100V 200A 3-Pin(2+Tab) DDPAK T/R
на замовлення 78 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
32+447.11 грн
44+329.56 грн
Мінімальне замовлення: 32 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD19536KTT suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd19536ktt
CSD19536KTT
Виробник: Texas Instruments
MOSFET N-CH 100V 200A TO263 Транзистори
на замовлення 2 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
КількістьЦіна
1+465.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.