Продукція > TEXAS INSTRUMENTS > CSD19536KTT
CSD19536KTT

CSD19536KTT Texas Instruments

suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd19536ktt Виробник: Texas Instruments
Description: MOSFET N-CH 100V 200A DDPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (DDPAK-3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 153 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 50 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+180.71 грн
1000+152.69 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис CSD19536KTT Texas Instruments

Description: MOSFET N-CH 100V 200A DDPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 100A, 10V, Power Dissipation (Max): 375W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.2V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-263 (DDPAK-3), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 153 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 50 V.

Інші пропозиції CSD19536KTT за ціною від 150.09 грн до 389.31 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
CSD19536KTT CSD19536KTT Виробник : Texas Instruments suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd19536ktt Trans MOSFET N-CH Si 100V 200A 3-Pin(2+Tab) DDPAK T/R
на замовлення 20500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+241.18 грн
1000+206.86 грн
2500+203.21 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
CSD19536KTT CSD19536KTT Виробник : Texas Instruments suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd19536ktt Description: MOSFET N-CH 100V 200A DDPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (DDPAK-3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 153 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 50 V
на замовлення 6078 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+366.74 грн
10+248.87 грн
100+205.36 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CSD19536KTT CSD19536KTT Виробник : Texas Instruments suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd19536ktt MOSFETs 100-V N channel Nex FET power MOSFET s A 595-CSD19536KTTT
на замовлення 7557 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+389.31 грн
10+281.24 грн
100+201.89 грн
500+170.66 грн
1000+150.09 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CSD19536KTT CSD19536KTT Виробник : Texas Instruments suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd19536ktt Trans MOSFET N-CH Si 100V 200A 3-Pin(2+Tab) DDPAK T/R
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
CSD19536KTT CSD19536KTT
Код товару: 115066
Додати до обраних Обраний товар

suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd19536ktt Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD19536KTT CSD19536KTT Виробник : Texas Instruments getliterature.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 200A 4-Pin(3+Tab) DDPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD19536KTT CSD19536KTT Виробник : Texas Instruments suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd19536ktt Trans MOSFET N-CH Si 100V 200A 3-Pin(2+Tab) DDPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD19536KTT CSD19536KTT Виробник : Texas Instruments suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd19536ktt Trans MOSFET N-CH Si 100V 200A 3-Pin(2+Tab) DDPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD19536KTT Виробник : TEXAS INSTRUMENTS suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd19536ktt Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 200A; Idm: 400A; 375W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: NexFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 200A
Pulsed drain current: 400A
Power dissipation: 375W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.8mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.