Інші пропозиції CSD19536KTT за ціною від 124.33 грн до 440.74 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
CSD19536KTT | Виробник : Texas Instruments |
 Description: MOSFET N-CH 100V 200A DDPAKPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 375W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.2V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (DDPAK-3) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 153 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 50 V |
на замовлення 8890 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
CSD19536KTT | Виробник : Texas Instruments |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 200A 3-Pin(2+Tab) DDPAK T/R |
на замовлення 10500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
CSD19536KTT | Виробник : Texas Instruments |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 200A 3-Pin(2+Tab) DDPAK T/R |
на замовлення 206 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
CSD19536KTT | Виробник : Texas Instruments |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 200A 3-Pin(2+Tab) DDPAK T/R |
на замовлення 206 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
CSD19536KTT | Виробник : Texas Instruments |
MOSFETs 100-V N channel Nex FET power MOSFET s A A 595-CSD19536KTTT |
на замовлення 6888 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
CSD19536KTT | Виробник : Texas Instruments |
Description: MOSFET N-CH 100V 200A DDPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 375W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.2V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (DDPAK-3) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 153 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 50 V |
на замовлення 8890 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
CSD19536KTT | Виробник : Texas Instruments |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 200A 3-Pin(2+Tab) DDPAK T/R |
на замовлення 78 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
CSD19536KTT | Виробник : Texas Instruments |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 200A 3-Pin(2+Tab) DDPAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||
|
|
CSD19536KTT | Виробник : Texas Instruments |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 200A 3-Pin(2+Tab) DDPAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||
 |
CSD19536KTT | Виробник : Texas Instruments |
MOSFET N-CH 100V 200A TO263 Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
товару немає в наявності |
|||||||||||
| CSD19536KTT | Виробник : TEXAS INSTRUMENTS |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 200A; Idm: 400A; 375W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: NexFET™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 200A Pulsed drain current: 400A Power dissipation: 375W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2.8mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |