Інші пропозиції CSD19536KTTT за ціною від 209.32 грн до 511.12 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
CSD19536KTTT | Виробник : TEXAS INSTRUMENTS |
 Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 200A; Idm: 400A; 375W; D2PAK Case: D2PAK Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Gate charge: 118nC On-state resistance: 2.8mΩ Gate-source voltage: ±20V Drain current: 200A Drain-source voltage: 100V Pulsed drain current: 400A Power dissipation: 375W Technology: NexFET™ Kind of channel: enhancement |
на замовлення 75 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
CSD19536KTTT | Виробник : Texas Instruments |
MOSFETs 100V N-Channel NexFE T Power MOSFET A 59 A 595-CSD19536KTT |
на замовлення 859 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
CSD19536KTTT | Виробник : Texas Instruments |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 200A 3-Pin(2+Tab) DDPAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||
|
|
CSD19536KTTT | Виробник : Texas Instruments |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 200A 3-Pin(2+Tab) DDPAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||
| CSD19536KTTT | Виробник : Texas Instruments |
N-канальний ПТ, Udss, В = 100, Id = 200 А, Ptot, Вт = 375, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 12000 @ 50, Qg, нКл = 153 @ 10 В, Rds = 2,4 мОм @ 100 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = 3,2 В @ 250 мкА,... Група товару: Транзистори Корпус: D2PAK-3 кількість в упаковці: 50 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||
 |
CSD19536KTTT | Виробник : Texas Instruments |
Description: MOSFET N-CH 100V 200A DDPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 375W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.2V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (DDPAK-3) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 153 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 50 V |
товару немає в наявності |
|||||||||||
|
|
CSD19536KTTT | Виробник : Texas Instruments |
Description: MOSFET N-CH 100V 200A DDPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 375W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.2V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (DDPAK-3) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 153 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 50 V |
товару немає в наявності |