CSD19536KTTT Texas Instruments
Виробник: Texas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 100V 200A DDPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (DDPAK-3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 153 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 50 V
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 50+ | 267.49 грн |
| 100+ | 236.28 грн |
| 150+ | 225.43 грн |
| 250+ | 200.12 грн |
| 350+ | 193.34 грн |
| 500+ | 187.04 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис CSD19536KTTT Texas Instruments
Description: MOSFET N-CH 100V 200A DDPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 100A, 10V, Power Dissipation (Max): 375W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.2V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-263 (DDPAK-3), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 153 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 50 V.
Інші пропозиції CSD19536KTTT за ціною від 190.35 грн до 512.47 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
CSD19536KTTT | Виробник : Texas Instruments |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 200A 3-Pin(2+Tab) DDPAK T/R |
на замовлення 50 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
CSD19536KTTT | Виробник : Texas Instruments |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 200A 3-Pin(2+Tab) DDPAK T/R |
на замовлення 50 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
CSD19536KTTT | Виробник : Texas Instruments |
Description: MOSFET N-CH 100V 200A DDPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 375W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.2V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (DDPAK-3) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 153 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 50 V |
на замовлення 644 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
CSD19536KTTT | Виробник : Texas Instruments |
MOSFETs 100V N-Channel NexFE T Power MOSFET A 595-CSD19536KTT |
на замовлення 238 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
|
CSD19536KTTT Код товару: 150841
Додати до обраних
Обраний товар
|
Транзистори > Польові N-канальні |
товару немає в наявності
|
|||||||||||||
|
|
CSD19536KTTT | Виробник : Texas Instruments |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 200A 3-Pin(2+Tab) DDPAK T/R |
товару немає в наявності |