Продукція > TEXAS INSTRUMENTS > CSD19536KTTT
CSD19536KTTT

CSD19536KTTT Texas Instruments

suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd19536ktt Виробник: Texas Instruments
Description: MOSFET N-CH 100V 200A DDPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-4, D2PAK (3 Leads + Tab), TO-263AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (DDPAK-3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 153 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 50 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
50+292.76 грн
100+251.16 грн
150+240.26 грн
250+218.74 грн
350+211.28 грн
500+204.02 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис CSD19536KTTT Texas Instruments

Description: MOSFET N-CH 100V 200A DDPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-4, D2PAK (3 Leads + Tab), TO-263AA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 100A, 10V, Power Dissipation (Max): 375W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.2V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-263 (DDPAK-3), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 153 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 50 V.

Інші пропозиції CSD19536KTTT за ціною від 215.28 грн до 548.22 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
CSD19536KTTT CSD19536KTTT Виробник : TEXAS INSTRUMENTS suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd19536ktt Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 200A; Idm: 400A; 375W; D2PAK
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 200A
On-state resistance: 2.8mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 375W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 118nC
Technology: NexFET™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 400A
Mounting: SMD
Case: D2PAK
на замовлення 138 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+400.56 грн
3+355.71 грн
4+293.07 грн
9+276.83 грн
100+266.01 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
CSD19536KTTT CSD19536KTTT Виробник : TEXAS INSTRUMENTS suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd19536ktt Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 200A; Idm: 400A; 375W; D2PAK
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 200A
On-state resistance: 2.8mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 375W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 118nC
Technology: NexFET™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 400A
Mounting: SMD
Case: D2PAK
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 138 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+480.67 грн
3+443.27 грн
4+351.69 грн
9+332.20 грн
100+319.21 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CSD19536KTTT CSD19536KTTT Виробник : Texas Instruments suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd19536ktt Description: MOSFET N-CH 100V 200A DDPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-4, D2PAK (3 Leads + Tab), TO-263AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (DDPAK-3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 153 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 50 V
на замовлення 1064 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+519.55 грн
10+354.86 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CSD19536KTTT CSD19536KTTT Виробник : Texas Instruments suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd19536ktt MOSFETs 100V N-Channel NexFE T Power MOSFET A 595-CSD19536KTT
на замовлення 1968 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+548.22 грн
10+390.99 грн
50+269.47 грн
100+235.32 грн
250+215.28 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CSD19536KTTT
Код товару: 150841
Додати до обраних Обраний товар

suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd19536ktt Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD19536KTTT CSD19536KTTT Виробник : Texas Instruments getliterature.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 200A 4-Pin(3+Tab) DDPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD19536KTTT CSD19536KTTT Виробник : Texas Instruments suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd19536ktt Trans MOSFET N-CH Si 100V 200A 3-Pin(2+Tab) DDPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD19536KTTT CSD19536KTTT Виробник : Texas Instruments suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd19536ktt Trans MOSFET N-CH Si 100V 200A 3-Pin(2+Tab) DDPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.