CSD19537Q3 Texas Instruments
Виробник: Texas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 100V 9.7A/50A 8VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1680 pF @ 50 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2500+ | 35.57 грн |
| 5000+ | 31.86 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис CSD19537Q3 Texas Instruments
Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD19537Q3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 50 A, 0.0145 ohm, SON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: NO, Dauer-Drainstrom Id: 50A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: NO, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.8W, Bauform - Transistor: SON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0145ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).
Інші пропозиції CSD19537Q3 за ціною від 31.53 грн до 123.59 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
CSD19537Q3 | Виробник : Texas Instruments |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 50A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R |
на замовлення 17500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
CSD19537Q3 | Виробник : Texas Instruments |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 50A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R |
на замовлення 47500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
CSD19537Q3 | Виробник : Texas Instruments |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 50A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R |
на замовлення 47500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
CSD19537Q3 | Виробник : Texas Instruments |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 50A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R |
на замовлення 601 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
CSD19537Q3 | Виробник : Texas Instruments |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 50A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R |
на замовлення 601 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
CSD19537Q3 | Виробник : Texas Instruments |
Description: MOSFET N-CH 100V 9.7A/50A 8VSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.5mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 83W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (3.3x3.3) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1680 pF @ 50 V |
на замовлення 6063 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
CSD19537Q3 | Виробник : Texas Instruments |
MOSFETs 100-V N channel Nex FET power MOSFET s A 595-CSD19537Q3T |
на замовлення 2381 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| CSD19537Q3 | Виробник : TEXAS INSTRUMENTS |
Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD19537Q3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 50 A, 0.0145 ohm, SON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: NO Dauer-Drainstrom Id: 50A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: NO Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.8W Bauform - Transistor: SON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0145ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
на замовлення 29 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| CSD19537Q3 | Виробник : TEXAS INSTRUMENTS |
Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD19537Q3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 50 A, 0.0145 ohm, SON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: NO Dauer-Drainstrom Id: 50A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: NO Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.8W Bauform - Transistor: SON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0145ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
на замовлення 29 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||||||
 |
CSD19537Q3 | Виробник : Texas Instruments |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 50A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
CSD19537Q3 | Виробник : Texas Instruments |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 50A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R |
товару немає в наявності |