Продукція > TEXAS INSTRUMENTS > CSD19537Q3T

CSD19537Q3T Texas Instruments

Name: CSD19537Q3T
Brand: Texas Instruments
SKU: 710774-7
Price: 11260 UAH
Availability: InStock

Виробник: Texas Instruments
Trans MOSFET N-CH Si 100V 50A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R

на замовлення 7000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
250+	45.04 грн

Мінімальне замовлення: 250

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис CSD19537Q3T Texas Instruments

Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD19537Q3T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 50 A, 0.0121 ohm, VSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 50A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 83W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 83W, Bauform - Transistor: VSON, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0121ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0121ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).

Інші пропозиції CSD19537Q3T за ціною від 41.37 грн до 140.42 грн

Фото

Назва

Виробник

Інформація

Доступність

Ціна

CSD19537Q3T

Виробник : Texas Instruments

suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd19537q3

Trans MOSFET N-CH Si 100V 50A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R

на замовлення 5250 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
250+	49.67 грн
500+	43.92 грн
1000+	41.37 грн

Мінімальне замовлення: 250

В кошику од. на суму грн.

CSD19537Q3T

Виробник : Texas Instruments

Description: MOSFET N-CH 100V 50A 8VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1680 pF @ 50 V

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
250+	54.90 грн
500+	45.24 грн
750+	43.84 грн

Мінімальне замовлення: 250

В кошику од. на суму грн.

CSD19537Q3T

Виробник : TEXAS INSTRUMENTS

Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD19537Q3T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 50 A, 0.0121 ohm, VSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 83W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: VSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0121ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0121ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 269 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
100+	63.72 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

CSD19537Q3T

Виробник : TEXAS INSTRUMENTS

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 50A; 83W; VSON-CLIP8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: NexFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 50A
Power dissipation: 83W
Case: VSON-CLIP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12.1mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 16nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Dimensions: 3.3x3.3mm

на замовлення 72 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

Кількість	Ціна
5+	79.51 грн
16+	58.87 грн
42+	55.81 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

CSD19537Q3T

Виробник : TEXAS INSTRUMENTS

на замовлення 72 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

Кількість	Ціна
3+	117.57 грн
5+	99.08 грн
16+	70.64 грн
42+	66.97 грн
250+	64.22 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

CSD19537Q3T

Виробник : Texas Instruments

Description: MOSFET N-CH 100V 50A 8VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1680 pF @ 50 V

на замовлення 1312 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
3+	128.61 грн
10+	84.93 грн
100+	52.86 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

CSD19537Q3T

Виробник : TEXAS INSTRUMENTS

Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD19537Q3T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 50 A, 0.0121 ohm, VSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: VSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0121ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 269 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
6+	139.96 грн
10+	102.91 грн
100+	63.72 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

CSD19537Q3T

Виробник : Texas Instruments

MOSFETs 100-V N channel Nex FET power MOSFET s A 595-CSD19537Q3

на замовлення 23824 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

Кількість	Ціна
3+	140.42 грн
10+	94.53 грн
100+	51.23 грн
500+	44.99 грн
1000+	41.91 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

CSD19537Q3T

Виробник : Texas Instruments

Trans MOSFET N-CH Si 100V 50A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R

на замовлення 50 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

CSD19537Q3T

Виробник : Texas Instruments

Trans MOSFET N-CH Si 100V 50A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

CSD19537Q3T

Виробник : Texas Instruments

Trans MOSFET N-CH Si 100V 50A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

CSD19537Q3T

Виробник : Texas Instruments

Trans MOSFET N-CH Si 100V 50A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.