CSD19537Q3T Texas Instruments
на замовлення 7000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 250+ | 48.09 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис CSD19537Q3T Texas Instruments
Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD19537Q3T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 50 A, 0.0145 ohm, VSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 50A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 83W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 83W, Bauform - Transistor: VSON, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0121ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0145ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).
Інші пропозиції CSD19537Q3T за ціною від 40.44 грн до 152.96 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
CSD19537Q3T | Виробник : Texas Instruments |
 Trans MOSFET N-CH Si 100V 50A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
CSD19537Q3T | Виробник : Texas Instruments |
Description: MOSFET N-CH 100V 50A 8VSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.5mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 83W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (3.3x3.3) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1680 pF @ 50 V |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
CSD19537Q3T | Виробник : Texas Instruments |
Description: MOSFET N-CH 100V 50A 8VSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.5mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 83W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (3.3x3.3) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1680 pF @ 50 V |
на замовлення 1312 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
CSD19537Q3T | Виробник : Texas Instruments |
MOSFETs 100-V N channel Nex FET power MOSFET s A 595-CSD19537Q3 |
на замовлення 20812 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
CSD19537Q3T | Виробник : TEXAS INSTRUMENTS |
Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD19537Q3T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 50 A, 0.0145 ohm, VSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 50A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 83W Bauform - Transistor: VSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0145ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
на замовлення 11 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
CSD19537Q3T | Виробник : Texas Instruments |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 50A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R |
на замовлення 50 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||
|
|
CSD19537Q3T | Виробник : TEXAS INSTRUMENTS |
Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD19537Q3T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 50 A, 0.0145 ohm, VSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 50A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 83W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 83W Bauform - Transistor: VSON Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0121ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0145ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
на замовлення 11 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||
| CSD19537Q3T | Виробник : TEXAS INSTRUMENTS |
CSD19537Q3T SMD N channel transistors |
на замовлення 5 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||
|
|
CSD19537Q3T | Виробник : Texas Instruments |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 50A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
|
|
CSD19537Q3T | Виробник : Texas Instruments |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 50A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
|
|
CSD19537Q3T | Виробник : Texas Instruments |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 50A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R |
товару немає в наявності |