CSD19538Q2 Texas Instruments
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 10.96 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис CSD19538Q2 Texas Instruments
Description: MOSFET N-CH 100V 14.4A 6WSON, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.4A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 59mOhm @ 5A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 20.2W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA, Supplier Device Package: 6-WSON (2x2), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.6 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 454 pF @ 50 V.
Інші пропозиції CSD19538Q2 за ціною від 9.41 грн до 52.06 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
CSD19538Q2 | Виробник : Texas Instruments |
 Description: MOSFET N-CH 100V 14.4A 6WSONPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 59mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 20.2W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA Supplier Device Package: 6-WSON (2x2) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.6 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 454 pF @ 50 V |
на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
CSD19538Q2 | Виробник : Texas Instruments |
Description: MOSFET N-CH 100V 14.4A 6WSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 59mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 20.2W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA Supplier Device Package: 6-WSON (2x2) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.6 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 454 pF @ 50 V |
на замовлення 20282 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
CSD19538Q2 | Виробник : Texas Instruments |
MOSFETs 100-V N channel Nex FET power MOSFET s A 595-CSD19538Q2T |
на замовлення 25631 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
CSD19538Q2 | Виробник : Texas Instruments |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 14.4A 6-Pin WSON EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
CSD19538Q2 | Виробник : Texas Instruments |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 14.4A 6-Pin WSON EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
CSD19538Q2 | Виробник : Texas Instruments |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 14.4A 6-Pin WSON EP T/R |
товару немає в наявності |