Продукція > TEXAS INSTRUMENTS > CSD19538Q2T
CSD19538Q2T

CSD19538Q2T Texas Instruments

suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd19538q2
Виробник: Texas Instruments
Description: MOSFET N-CH 100V 13.1A 6WSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 59mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 20.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-WSON (2x2)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 454 pF @ 50 V
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
250+43.84 грн
500+35.63 грн
750+33.21 грн
1250+29.81 грн
Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис CSD19538Q2T Texas Instruments

Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD19538Q2T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 13.1 A, 0.049 ohm, WSON, Oberflächenmontage, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100, Dauer-Drainstrom Id: 13.1, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung Pd: 23, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.2, Verlustleistung: 23, Bauform - Transistor: WSON, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 6, Produktpalette: NexFET, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.049, Rds(on)-Prüfspannung: 10, Betriebstemperatur, max.: 150, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.049, SVHC: No SVHC (10-Jun-2022).

Інші пропозиції CSD19538Q2T за ціною від 33.50 грн до 85.24 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
CSD19538Q2T CSD19538Q2T TEXAS INSTRUMENTS suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd19538q2 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 14.4A; 20.2W; WSON6; 2x2mm
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: NexFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 14.4A
Power dissipation: 20.2W
Case: WSON6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 49mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 4.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Dimensions: 2x2mm
на замовлення 1182 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
10+44.64 грн
11+40.13 грн
25+38.55 грн
100+35.24 грн
250+33.50 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD19538Q2T CSD19538Q2T Texas Instruments suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd19538q2 Description: MOSFET N-CH 100V 13.1A 6WSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 59mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 20.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-WSON (2x2)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 454 pF @ 50 V
на замовлення 1635 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+85.24 грн
10+67.90 грн
100+42.21 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD19538Q2T CSD19538Q2T Texas Instruments suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd19538q2 MOSFETs 100V 49mOhm NexFET P ower MOSFET A 595-C A 595-CSD19538Q2
на замовлення 7630 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
CSD19538Q2T suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd19538q2
CSD19538Q2T
Виробник: TEXAS INSTRUMENTS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 14.4A; 20.2W; WSON6; 2x2mm
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: NexFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 14.4A
Power dissipation: 20.2W
Case: WSON6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 49mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 4.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Dimensions: 2x2mm
на замовлення 1182 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+44.64 грн
11+40.13 грн
25+38.55 грн
100+35.24 грн
250+33.50 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD19538Q2T suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd19538q2
CSD19538Q2T
Виробник: Texas Instruments
Description: MOSFET N-CH 100V 13.1A 6WSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 59mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 20.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-WSON (2x2)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 454 pF @ 50 V
на замовлення 1635 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+85.24 грн
10+67.90 грн
100+42.21 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD19538Q2T suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd19538q2
CSD19538Q2T
Виробник: Texas Instruments
MOSFETs 100V 49mOhm NexFET P ower MOSFET A 595-C A 595-CSD19538Q2
на замовлення 7630 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.