Продукція > TEXAS INSTRUMENTS > CSD19538Q2T
CSD19538Q2T

CSD19538Q2T TEXAS INSTRUMENTS

suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd19538q2 Виробник: TEXAS INSTRUMENTS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 14.4A; 20.2W; WSON6; 2x2mm
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: NexFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 14.4A
Power dissipation: 20.2W
Case: WSON6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 49mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 4.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Dimensions: 2x2mm
на замовлення 1987 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
10+43.59 грн
11+37.78 грн
25+36.82 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис CSD19538Q2T TEXAS INSTRUMENTS

Description: MOSFET N-CH 100V 13.1A 6WSON, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.1A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 59mOhm @ 5A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 20.2W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA, Supplier Device Package: 6-WSON (2x2), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.6 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 454 pF @ 50 V.

Інші пропозиції CSD19538Q2T за ціною від 32.23 грн до 145.87 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
CSD19538Q2T CSD19538Q2T Виробник : Texas Instruments suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd19538q2 Description: MOSFET N-CH 100V 13.1A 6WSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 59mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 20.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-WSON (2x2)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 454 pF @ 50 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
250+50.05 грн
500+42.15 грн
750+40.30 грн
1250+36.89 грн
1750+36.76 грн
Мінімальне замовлення: 250
В кошику  од. на суму  грн.
CSD19538Q2T CSD19538Q2T Виробник : TEXAS INSTRUMENTS suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd19538q2 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 14.4A; 20.2W; WSON6; 2x2mm
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: NexFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 14.4A
Power dissipation: 20.2W
Case: WSON6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 49mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 4.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Dimensions: 2x2mm
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1987 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
6+52.30 грн
7+47.07 грн
25+44.19 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
CSD19538Q2T CSD19538Q2T Виробник : Texas Instruments suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd19538q2 MOSFETs 100V 49mOhm NexFET Power MOSFET A 595-CSD19538Q2
на замовлення 28216 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+95.99 грн
10+78.33 грн
100+42.36 грн
500+37.71 грн
1000+32.23 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
CSD19538Q2T CSD19538Q2T Виробник : Texas Instruments suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd19538q2 Description: MOSFET N-CH 100V 13.1A 6WSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 59mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 20.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-WSON (2x2)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 454 pF @ 50 V
на замовлення 2205 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+145.87 грн
10+89.60 грн
100+60.25 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
CSD19538Q2T CSD19538Q2T Виробник : Texas Instruments suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd19538q2 Trans MOSFET N-CH Si 100V 14.4A 6-Pin WSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD19538Q2T CSD19538Q2T Виробник : Texas Instruments suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd19538q2 Trans MOSFET N-CH Si 100V 14.4A 6-Pin WSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD19538Q2T CSD19538Q2T Виробник : Texas Instruments suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd19538q2 Trans MOSFET N-CH Si 100V 14.4A 6-Pin WSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD19538Q2T CSD19538Q2T Виробник : Texas Instruments slps582.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 14.4A 6-Pin WSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.