CSD19538Q3A Texas Instruments
Виробник: Texas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 100V 15A 8VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 59mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 23W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 454 pF @ 50 V
на замовлення 220 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 68.24 грн |
| 10+ | 41.17 грн |
| 100+ | 26.87 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис CSD19538Q3A Texas Instruments
Description: MOSFET N-CH 100V 15A 8VSON, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerVDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 59mOhm @ 5A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 23W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-VSONP (3x3.3), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.3 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 454 pF @ 50 V.
Інші пропозиції CSD19538Q3A за ціною від 24.05 грн до 69.22 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
CSD19538Q3A | Виробник : Texas Instruments |
MOSFETs 100-V N channel Nex FET power MOSFET s A A 595-CSD19538Q3AT |
на замовлення 17494 шт: термін постачання 105-114 дні (днів) |
|
||||||||
| CSD19538Q3A | Виробник : Texas Instruments |
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 72mOhm; 15A; 23W; -55°C ~ 150°C; CSD19538Q3AT CSD19538Q3A TCSD19538q3a кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 50 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||
|
CSD19538Q3A Код товару: 165390
Додати до обраних
Обраний товар
|
Транзистори > Польові N-канальні |
товару немає в наявності
|
|||||||||||
 |
CSD19538Q3A | Виробник : Texas Instruments |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 15A 8-Pin VSONP EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||
|
|
CSD19538Q3A | Виробник : Texas Instruments |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 15A 8-Pin VSONP EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||
|
|
CSD19538Q3A | Виробник : Texas Instruments |
Description: MOSFET N-CH 100V 15A 8VSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 59mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 23W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSONP (3x3.3) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.3 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 454 pF @ 50 V |
товару немає в наявності |