CSD19538Q3AT

CSD19538Q3AT TEXAS INSTRUMENTS


suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd19538q3a Виробник: TEXAS INSTRUMENTS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 15A; 23W; VSONP8; 3.3x3.3mm
Kind of channel: enhancement
Case: VSONP8
Technology: NexFET™
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 4.3nC
Dimensions: 3.3x3.3mm
On-state resistance: 49mΩ
Drain current: 15A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 23W
Drain-source voltage: 100V
на замовлення 351 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
12+38.73 грн
25+35.89 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис CSD19538Q3AT TEXAS INSTRUMENTS

Description: MOSFET N-CH 100V 15A 8VSON, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerVDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 59mOhm @ 5A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 23W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-VSONP (3x3.3), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.3 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 454 pF @ 50 V.

Інші пропозиції CSD19538Q3AT за ціною від 35.00 грн до 137.78 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
CSD19538Q3AT CSD19538Q3AT Виробник : TEXAS INSTRUMENTS suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd19538q3a Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 15A; 23W; VSONP8; 3.3x3.3mm
Kind of channel: enhancement
Case: VSONP8
Technology: NexFET™
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 4.3nC
Dimensions: 3.3x3.3mm
On-state resistance: 49mΩ
Drain current: 15A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 23W
Drain-source voltage: 100V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 351 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
7+46.48 грн
25+44.72 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
CSD19538Q3AT CSD19538Q3AT Виробник : Texas Instruments suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd19538q3a Description: MOSFET N-CH 100V 15A 8VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 59mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 23W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 454 pF @ 50 V
на замовлення 2750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
250+51.64 грн
500+45.21 грн
750+42.90 грн
1250+37.84 грн
1750+36.40 грн
2500+35.00 грн
Мінімальне замовлення: 250
В кошику  од. на суму  грн.
CSD19538Q3AT CSD19538Q3AT Виробник : Texas Instruments suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd19538q3a MOSFETs 100-V N channel Nex FET power MOSFET s A 595-CSD19538Q3A
на замовлення 7647 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+130.70 грн
10+89.12 грн
100+47.57 грн
500+40.28 грн
1000+36.22 грн
2500+35.60 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
CSD19538Q3AT CSD19538Q3AT Виробник : Texas Instruments suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd19538q3a Description: MOSFET N-CH 100V 15A 8VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 59mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 23W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 454 pF @ 50 V
на замовлення 2960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+137.78 грн
10+84.64 грн
100+57.02 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
CSD19538Q3AT CSD19538Q3AT Виробник : Texas Instruments suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd19538q3a Trans MOSFET N-CH Si 100V 15A 8-Pin VSONP EP T/R
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
CSD19538Q3AT CSD19538Q3AT Виробник : Texas Instruments suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd19538q3a Trans MOSFET N-CH Si 100V 15A 8-Pin VSONP EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD19538Q3AT CSD19538Q3AT Виробник : Texas Instruments suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd19538q3a Trans MOSFET N-CH Si 100V 15A 8-Pin VSONP EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD19538Q3AT CSD19538Q3AT Виробник : Texas Instruments slps583.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 15A 8-Pin VSONP EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.