Продукція > TEXAS INSTRUMENTS > CSD23201W10
CSD23201W10

CSD23201W10 Texas Instruments

CSD23201W10.pdf Виробник: Texas Instruments
Description: MOSFET P-CH 12V 2.2A 4DSBGA
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-UFBGA, DSBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 82mOhm @ 500mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 4-DSBGA (1x1)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): -6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 325 pF @ 6 V
на замовлення 455050 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1211+19.05 грн
Мінімальне замовлення: 1211
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис CSD23201W10 Texas Instruments

Description: MOSFET P-CH 12V 2.2A 4DSBGA, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 4-UFBGA, DSBGA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 82mOhm @ 500mA, 4.5V, Power Dissipation (Max): 1W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Supplier Device Package: 4-DSBGA (1x1), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V, Vgs (Max): -6V, Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.4 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 325 pF @ 6 V.

Інші пропозиції CSD23201W10 за ціною від 18.15 грн до 18.15 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
CSD23201W10 Виробник : Texas Instruments CSD23201W10.pdf P-CHANNEL NexFET MOSFET 12V, 7A, 66mohm CSD23201W10 TCSD23201w10
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
50+18.15 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
CSD23201W10 CSD23201W10 Виробник : Texas Instruments CSD23201W10.pdf Description: MOSFET P-CH 12V 2.2A 4DSBGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-UFBGA, DSBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 82mOhm @ 500mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 4-DSBGA (1x1)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): -6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 325 pF @ 6 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD23201W10 CSD23201W10 Виробник : Texas Instruments CSD23201W10.pdf Description: MOSFET P-CH 12V 2.2A 4DSBGA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-UFBGA, DSBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 82mOhm @ 500mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 4-DSBGA (1x1)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): -6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 325 pF @ 6 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.