Продукція > TEXAS INSTRUMENTS > CSD23202W10
CSD23202W10

CSD23202W10 Texas Instruments

suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd23202w10 Виробник: Texas Instruments
Description: MOSFET P-CH 12V 2.2A 4DSBGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-UFBGA, DSBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53mOhm @ 500mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: 4-DSBGA (1x1)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): -6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 512 pF @ 6 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+10.23 грн
6000+8.99 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис CSD23202W10 Texas Instruments

Description: MOSFET P-CH 12V 2.2A 4DSBGA, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 4-UFBGA, DSBGA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53mOhm @ 500mA, 4.5V, Power Dissipation (Max): 1W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA, Supplier Device Package: 4-DSBGA (1x1), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V, Vgs (Max): -6V, Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.8 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 512 pF @ 6 V.

Інші пропозиції CSD23202W10 за ціною від 8.52 грн до 47.71 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
CSD23202W10 CSD23202W10 Виробник : Texas Instruments getliterature.pdf Trans MOSFET P-CH 12V 2.2A 4-Pin DSBGA T/R
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+10.29 грн
6000+9.23 грн
15000+8.64 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
CSD23202W10 CSD23202W10 Виробник : Texas Instruments suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd23202w10 Description: MOSFET P-CH 12V 2.2A 4DSBGA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-UFBGA, DSBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53mOhm @ 500mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: 4-DSBGA (1x1)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): -6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 512 pF @ 6 V
на замовлення 8875 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+44.82 грн
13+26.62 грн
100+17.04 грн
500+12.10 грн
1000+10.84 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
CSD23202W10 CSD23202W10 Виробник : Texas Instruments suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd23202w10 MOSFETs 12V P-channel NexFET Pwr MOSFET A 595-CSD23202W10T
на замовлення 2386 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
8+47.71 грн
13+29.30 грн
100+16.27 грн
500+12.35 грн
1000+10.90 грн
3000+9.36 грн
6000+8.52 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.