CSD23202W10 Texas Instruments
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 10.22 грн |
| 6000+ | 9.16 грн |
| 15000+ | 8.58 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис CSD23202W10 Texas Instruments
Description: MOSFET P-CH 12V 2.2A 4DSBGA, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 4-UFBGA, DSBGA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53mOhm @ 500mA, 4.5V, Power Dissipation (Max): 1W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA, Supplier Device Package: 4-DSBGA (1x1), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V, Vgs (Max): -6V, Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.8 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 512 pF @ 6 V.
Інші пропозиції CSD23202W10 за ціною від 8.38 грн до 47.38 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
CSD23202W10 | Виробник : Texas Instruments |
 Description: MOSFET P-CH 12V 2.2A 4DSBGAPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 4-UFBGA, DSBGA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53mOhm @ 500mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Supplier Device Package: 4-DSBGA (1x1) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): -6V Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.8 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 512 pF @ 6 V |
на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
CSD23202W10 | Виробник : Texas Instruments |
Description: MOSFET P-CH 12V 2.2A 4DSBGA Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 4-UFBGA, DSBGA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53mOhm @ 500mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Supplier Device Package: 4-DSBGA (1x1) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): -6V Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.8 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 512 pF @ 6 V |
на замовлення 9649 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
CSD23202W10 | Виробник : Texas Instruments |
MOSFETs 12V P-channel NexFET Pwr MOSFET A 595-CSD23202W10T |
на замовлення 5386 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|