Продукція > TEXAS INSTRUMENTS > CSD23202W10T
CSD23202W10T

CSD23202W10T TEXAS INSTRUMENTS

suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd23202w10
Виробник: TEXAS INSTRUMENTS
Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD23202W10T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 2.2 A, 0.044 ohm, DSBGA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 1W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: DSBGA
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.044ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.044ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 662 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
100+21.02 грн
500+14.06 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис CSD23202W10T TEXAS INSTRUMENTS

Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD23202W10T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 2.2 A, 0.044 ohm, DSBGA, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 12V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 2.2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 1W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1W, Bauform - Transistor: DSBGA, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: p-Kanal, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.044ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.044ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).

Інші пропозиції CSD23202W10T за ціною від 14.06 грн до 115.98 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
CSD23202W10T CSD23202W10T TEXAS INSTRUMENTS suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd23202w10 Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD23202W10T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 2.2 A, 0.044 ohm, DSBGA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: DSBGA
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.044ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 662 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+35.12 грн
29+28.19 грн
100+21.02 грн
500+14.06 грн
Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD23202W10T CSD23202W10T Texas Instruments suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd23202w10 Description: MOSFET P-CH 12V 2.2A 4DSBGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-UFBGA, DSBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53mOhm @ 500mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: 4-DSBGA (1x1)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): -6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 512 pF @ 6 V
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+37.72 грн
500+32.89 грн
750+31.14 грн
1250+27.38 грн
1750+26.29 грн
2500+25.23 грн
6250+22.52 грн
Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD23202W10T CSD23202W10T Texas Instruments suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd23202w10 Description: MOSFET P-CH 12V 2.2A 4DSBGA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-UFBGA, DSBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53mOhm @ 500mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: 4-DSBGA (1x1)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): -6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 512 pF @ 6 V
на замовлення 12273 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+103.29 грн
10+62.75 грн
100+41.86 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD23202W10T CSD23202W10T Texas Instruments suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd23202w10 MOSFETs 12V PCH NexFET A 595 -CSD23202W10 A 595- A 595-CSD23202W10
на замовлення 1134 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+115.98 грн
10+73.04 грн
100+36.59 грн
500+31.27 грн
1000+28.17 грн
2500+26.99 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD23202W10T suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd23202w10
CSD23202W10T
Виробник: TEXAS INSTRUMENTS
Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD23202W10T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 2.2 A, 0.044 ohm, DSBGA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: DSBGA
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.044ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 662 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
23+35.12 грн
29+28.19 грн
100+21.02 грн
500+14.06 грн
Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD23202W10T suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd23202w10
CSD23202W10T
Виробник: Texas Instruments
Description: MOSFET P-CH 12V 2.2A 4DSBGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-UFBGA, DSBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53mOhm @ 500mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: 4-DSBGA (1x1)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): -6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 512 pF @ 6 V
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
250+37.72 грн
500+32.89 грн
750+31.14 грн
1250+27.38 грн
1750+26.29 грн
2500+25.23 грн
6250+22.52 грн
Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD23202W10T suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd23202w10
CSD23202W10T
Виробник: Texas Instruments
Description: MOSFET P-CH 12V 2.2A 4DSBGA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-UFBGA, DSBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53mOhm @ 500mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: 4-DSBGA (1x1)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): -6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 512 pF @ 6 V
на замовлення 12273 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+103.29 грн
10+62.75 грн
100+41.86 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD23202W10T suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd23202w10
CSD23202W10T
Виробник: Texas Instruments
MOSFETs 12V PCH NexFET A 595 -CSD23202W10 A 595- A 595-CSD23202W10
на замовлення 1134 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+115.98 грн
10+73.04 грн
100+36.59 грн
500+31.27 грн
1000+28.17 грн
2500+26.99 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.