
на замовлення 7214 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
10+ | 35.88 грн |
12+ | 30.05 грн |
100+ | 18.05 грн |
500+ | 14.16 грн |
1000+ | 11.89 грн |
3000+ | 8.95 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис CSD23203W Texas Instruments
Description: MOSFET P-CH 8V 3A 6DSBGA, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-UFBGA, DSBGA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.4mOhm @ 1.5A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 750mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA, Supplier Device Package: 6-DSBGA (1x1.5), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Vgs (Max): -6V, Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.3 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 914 pF @ 4 V.
Інші пропозиції CSD23203W за ціною від 12.61 грн до 42.87 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
CSD23203W | Виробник : Texas Instruments |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-UFBGA, DSBGA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.4mOhm @ 1.5A, 4.5V Power Dissipation (Max): 750mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA Supplier Device Package: 6-DSBGA (1x1.5) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): -6V Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.3 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 914 pF @ 4 V |
на замовлення 2215 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
CSD23203W | Виробник : Texas Instruments |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
![]() |
CSD23203W | Виробник : Texas Instruments |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-UFBGA, DSBGA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.4mOhm @ 1.5A, 4.5V Power Dissipation (Max): 750mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA Supplier Device Package: 6-DSBGA (1x1.5) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): -6V Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.3 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 914 pF @ 4 V |
товару немає в наявності |