CSD23280F3 Texas Instruments
Виробник: Texas Instruments
Description: MOSFET P-CH 12V 1.8A 3PICOSTAR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 116mOhm @ 400mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: 3-PICOSTAR
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): -6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.23 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 234 pF @ 6 V
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 4.68 грн |
| 6000+ | 4.06 грн |
| 9000+ | 3.84 грн |
| 15000+ | 3.36 грн |
| 21000+ | 3.22 грн |
| 30000+ | 3.09 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис CSD23280F3 Texas Instruments
Description: MOSFET P-CH 12V 1.8A 3PICOSTAR, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 3-XFDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 116mOhm @ 400mA, 4.5V, Power Dissipation (Max): 500mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA, Supplier Device Package: 3-PICOSTAR, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V, Vgs (Max): -6V, Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.23 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 234 pF @ 6 V.
Інші пропозиції CSD23280F3 за ціною від 3.31 грн до 22.52 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
CSD23280F3 | Texas Instruments |
MOSFETs -12-V P channel Nex FET power MOSFET s A 595-CSD23280F3T |
на замовлення 7289 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
CSD23280F3 | Texas Instruments |
Description: MOSFET P-CH 12V 1.8A 3PICOSTARPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 3-XFDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 116mOhm @ 400mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA Supplier Device Package: 3-PICOSTAR Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): -6V Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.23 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 234 pF @ 6 V |
на замовлення 40082 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| CSD23280F3 |
![]() |
Виробник: Texas Instruments
MOSFETs -12-V P channel Nex FET power MOSFET s A 595-CSD23280F3T
MOSFETs -12-V P channel Nex FET power MOSFET s A 595-CSD23280F3T
на замовлення 7289 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 17+ | 19.41 грн |
| 27+ | 11.99 грн |
| 100+ | 5.73 грн |
| 500+ | 5.32 грн |
| 1000+ | 4.90 грн |
| 3000+ | 3.38 грн |
| 6000+ | 3.31 грн |
| CSD23280F3 |
![]() |
Виробник: Texas Instruments
Description: MOSFET P-CH 12V 1.8A 3PICOSTAR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 116mOhm @ 400mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: 3-PICOSTAR
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): -6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.23 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 234 pF @ 6 V
Description: MOSFET P-CH 12V 1.8A 3PICOSTAR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 116mOhm @ 400mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: 3-PICOSTAR
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): -6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.23 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 234 pF @ 6 V
на замовлення 40082 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 14+ | 22.52 грн |
| 23+ | 13.09 грн |
| 100+ | 8.20 грн |
| 500+ | 5.70 грн |
| 1000+ | 5.05 грн |



