CSD23285F5 Texas Instruments
Виробник: Texas InstrumentsDescription: MOSFET P-CH 12V 5.4A 3PICOSTAR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: 3-PICOSTAR
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): -6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 628 pF @ 6 V
на замовлення 10980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 8.61 грн |
| 6000+ | 7.85 грн |
| 9000+ | 7.18 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис CSD23285F5 Texas Instruments
Description: MOSFET P-CH 12V 5.4A 3PICOSTAR, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 3-XFDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 1A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 500mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA, Supplier Device Package: 3-PICOSTAR, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V, Vgs (Max): -6V, Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.2 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 628 pF @ 6 V.
Інші пропозиції CSD23285F5 за ціною від 7.66 грн до 38.11 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
CSD23285F5 | Виробник : Texas Instruments |
Trans MOSFET P-CH 12V 5.4A 3-Pin PicoStar T/R |
на замовлення 48000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
CSD23285F5 | Виробник : Texas Instruments |
MOSFET -12-V, P channel NexFET™ power MOSFET, single LGA 0.8 mm x 1.5 mm, 35 mOhm, gate ESD protection 3-PICOSTAR -55 to 150 |
на замовлення 7472 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
CSD23285F5 | Виробник : Texas Instruments |
Description: MOSFET P-CH 12V 5.4A 3PICOSTAR Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 3-XFDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 1A, 4.5V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA Supplier Device Package: 3-PICOSTAR Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): -6V Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.2 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 628 pF @ 6 V |
на замовлення 10980 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|