CSD23285F5 Texas Instruments
Виробник: Texas Instruments
Description: MOSFET P-CH 12V 5.4A 3PICOSTAR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: 3-PICOSTAR (1.49x0.73)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): -6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 628 pF @ 6 V
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 8+ | 44.27 грн |
| 12+ | 26.25 грн |
| 100+ | 16.77 грн |
| 500+ | 11.91 грн |
| 1000+ | 10.67 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис CSD23285F5 Texas Instruments
Description: MOSFET P-CH 12V 5.4A 3PICOSTAR, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 3-SMD, No Lead, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 1A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 500mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA, Supplier Device Package: 3-PICOSTAR (1.49x0.73), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V, Vgs (Max): -6V, Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.2 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 628 pF @ 6 V.
Інші пропозиції CSD23285F5 за ціною від 9.94 грн до 75.47 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
CSD23285F5 | Texas Instruments |
MOSFETs -12-V P channel Nex FET power MOSFET s A A 595-CSD23285F5T |
на замовлення 7433 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| CSD23285F5 | TEXAS INSTRUMENTS |
Category: SMD P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; 12V; 3.3A; 1.4W; PICOSTAR3 Case: PICOSTAR3 Type of transistor: P-MOSFET Mounting: SMD Drain-source voltage: 12V Gate-source voltage: -6V Drain current: 3.3A Power dissipation: 1.4W Kind of channel: enhancement |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
| CSD23285F5 |
![]() |
Виробник: Texas Instruments
MOSFETs -12-V P channel Nex FET power MOSFET s A A 595-CSD23285F5T
MOSFETs -12-V P channel Nex FET power MOSFET s A A 595-CSD23285F5T
на замовлення 7433 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 75.47 грн |
| 10+ | 51.52 грн |
| 100+ | 28.37 грн |
| 500+ | 17.60 грн |
| 1000+ | 13.25 грн |
| 3000+ | 11.18 грн |
| 6000+ | 9.94 грн |
| CSD23285F5 |
![]() |
Виробник: TEXAS INSTRUMENTS
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; 12V; 3.3A; 1.4W; PICOSTAR3
Case: PICOSTAR3
Type of transistor: P-MOSFET
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 12V
Gate-source voltage: -6V
Drain current: 3.3A
Power dissipation: 1.4W
Kind of channel: enhancement
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; 12V; 3.3A; 1.4W; PICOSTAR3
Case: PICOSTAR3
Type of transistor: P-MOSFET
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 12V
Gate-source voltage: -6V
Drain current: 3.3A
Power dissipation: 1.4W
Kind of channel: enhancement
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 10.83 грн |



