Продукція > TEXAS INSTRUMENTS > CSD23381F4
CSD23381F4

CSD23381F4 Texas Instruments

suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd23381f4 Виробник: Texas Instruments
Description: MOSFET P-CH 12V 2.3A 3PICOSTAR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 175mOhm @ 500mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 3-PICOSTAR
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.14 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 236 pF @ 6 V
на замовлення 246000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+4.29 грн
6000+3.77 грн
9000+3.65 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис CSD23381F4 Texas Instruments

Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD23381F4 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 2.3 A, 0.15 ohm, LGA, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 12V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 2.3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 950mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 500mW, Bauform - Transistor: LGA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: FemtoFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).

Інші пропозиції CSD23381F4 за ціною від 3.16 грн до 27.85 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
CSD23381F4 CSD23381F4 Виробник : Texas Instruments getliterature.pdf Trans MOSFET P-CH 12V 2.3A 3-Pin PicoStar T/R
на замовлення 93000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+4.43 грн
6000+4.06 грн
12000+3.92 грн
30000+3.66 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
CSD23381F4 CSD23381F4 Виробник : Texas Instruments suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd23381f4 MOSFETs 12V P-CH FemtoFET MOSFET
на замовлення 26959 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
24+14.68 грн
38+8.97 грн
100+5.15 грн
1000+4.49 грн
3000+3.53 грн
45000+3.31 грн
99000+3.16 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
CSD23381F4 CSD23381F4 Виробник : Texas Instruments suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd23381f4 Description: MOSFET P-CH 12V 2.3A 3PICOSTAR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 175mOhm @ 500mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 3-PICOSTAR
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.14 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 236 pF @ 6 V
на замовлення 250124 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+27.85 грн
19+16.63 грн
100+10.44 грн
500+7.27 грн
1000+6.46 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
CSD23381F4 Виробник : TEXAS INSTRUMENTS suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd23381f4 Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD23381F4 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 2.3 A, 0.15 ohm, LGA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 950mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: LGA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: FemtoFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 215 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
35+23.60 грн
53+15.85 грн
120+6.93 грн
Мінімальне замовлення: 35
В кошику  од. на суму  грн.
CSD23381F4 Виробник : TEXAS INSTRUMENTS suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd23381f4 Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD23381F4 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 2.3 A, 0.15 ohm, LGA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 950mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: LGA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: FemtoFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 215 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.