CSD23381F4T Texas Instruments
Виробник: Texas InstrumentsDescription: MOSFET P-CH 12V 2.3A 3PICOSTAR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 175mOhm @ 500mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 3-PICOSTAR
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.14 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 236 pF @ 6 V
на замовлення 3250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 250+ | 32.53 грн |
| 500+ | 28.28 грн |
| 750+ | 26.73 грн |
| 1250+ | 23.44 грн |
| 1750+ | 22.47 грн |
| 2500+ | 21.53 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис CSD23381F4T Texas Instruments
Description: MOSFET P-CH 12V 2.3A 3PICOSTAR, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 3-XFDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 175mOhm @ 500mA, 4.5V, Power Dissipation (Max): 500mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA, Supplier Device Package: 3-PICOSTAR, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Vgs (Max): -8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.14 nC @ 6 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 236 pF @ 6 V.
Інші пропозиції CSD23381F4T за ціною від 21.20 грн до 90.20 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
CSD23381F4T | Виробник : Texas Instruments |
Description: MOSFET P-CH 12V 2.3A 3PICOSTAR Packaging: Bulk Package / Case: 3-XFDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 175mOhm @ 500mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Supplier Device Package: 3-PICOSTAR Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): -8V Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.14 nC @ 6 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 236 pF @ 6 V |
на замовлення 750 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
CSD23381F4T | Виробник : Texas Instruments |
MOSFET 12V,P-Ch FemtoFET MOSFET |
на замовлення 2398 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
CSD23381F4T | Виробник : Texas Instruments |
Description: MOSFET P-CH 12V 2.3A 3PICOSTAR Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 3-XFDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 175mOhm @ 500mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Supplier Device Package: 3-PICOSTAR Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): -8V Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.14 nC @ 6 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 236 pF @ 6 V |
на замовлення 3362 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|