CSD23382F4 Texas Instruments
Виробник: Texas Instruments
Description: MOSFET P-CH 12V 3.5A 3PICOSTAR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 76mOhm @ 500mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 3-PICOSTAR (1x0.60)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.35 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 235 pF @ 6 V
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 6.63 грн |
| 6000+ | 5.78 грн |
| 9000+ | 5.48 грн |
| 15000+ | 4.82 грн |
| 21000+ | 4.62 грн |
| 30000+ | 4.44 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис CSD23382F4 Texas Instruments
Description: MOSFET P-CH 12V 3.5A 3PICOSTAR, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 3-XFDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 76mOhm @ 500mA, 4.5V, Power Dissipation (Max): 500mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA, Supplier Device Package: 3-PICOSTAR (1x0.60), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Vgs (Max): ±8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.35 nC @ 6 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 235 pF @ 6 V.
Інші пропозиції CSD23382F4 за ціною від 5.04 грн до 32.22 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
CSD23382F4 | Texas Instruments |
Description: MOSFET P-CH 12V 3.5A 3PICOSTAR Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 3-XFDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 76mOhm @ 500mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA Supplier Device Package: 3-PICOSTAR (1x0.60) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.35 nC @ 6 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 235 pF @ 6 V |
на замовлення 185030 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
CSD23382F4 | Texas Instruments |
MOSFET P-Channel MOSFET |
на замовлення 11220 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
| CSD23382F4 |
|
Виробник: Texas Instruments
Description: MOSFET P-CH 12V 3.5A 3PICOSTAR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 76mOhm @ 500mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 3-PICOSTAR (1x0.60)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.35 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 235 pF @ 6 V
Description: MOSFET P-CH 12V 3.5A 3PICOSTAR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 76mOhm @ 500mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 3-PICOSTAR (1x0.60)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.35 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 235 pF @ 6 V
на замовлення 185030 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 11+ | 30.29 грн |
| 17+ | 18.10 грн |
| 100+ | 11.40 грн |
| 500+ | 7.98 грн |
| 1000+ | 7.11 грн |
| CSD23382F4 |
|
Виробник: Texas Instruments
MOSFET P-Channel MOSFET
MOSFET P-Channel MOSFET
на замовлення 11220 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 32.22 грн |
| 15+ | 22.39 грн |
| 100+ | 8.91 грн |
| 1000+ | 6.97 грн |
| 3000+ | 6.08 грн |
| 9000+ | 5.38 грн |
| 24000+ | 5.04 грн |