CSD23382F4T Texas Instruments
Виробник: Texas InstrumentsDescription: MOSFET P-CH 12V 3.5A 3PICOSTAR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 76mOhm @ 500mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 3-PICOSTAR
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.35 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 235 pF @ 6 V
на замовлення 1148 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 12+ | 25.60 грн |
| 100+ | 24.96 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис CSD23382F4T Texas Instruments
Description: MOSFET P-CH 12V 3.5A 3PICOSTAR, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 3-XFDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 76mOhm @ 500mA, 4.5V, Power Dissipation (Max): 500mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA, Supplier Device Package: 3-PICOSTAR, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Vgs (Max): ±8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.35 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 235 pF @ 6 V.
Інші пропозиції CSD23382F4T за ціною від 24.57 грн до 28.19 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
CSD23382F4T | Виробник : Texas Instruments |
Description: MOSFET P-CH 12V 3.5A 3PICOSTAR Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-XFDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 76mOhm @ 500mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA Supplier Device Package: 3-PICOSTAR Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.35 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 235 pF @ 6 V |
на замовлення 750 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
 |
CSD23382F4T | Виробник : Texas Instruments |
MOSFETs P-Ch NexFET Power MOSFET |
на замовлення 5618 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||
|
|
CSD23382F4T | Виробник : Texas Instruments |
Description: MOSFET P-CH 12V 3.5A 3PICOSTAR Packaging: Bulk Package / Case: 3-XFDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 76mOhm @ 500mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA Supplier Device Package: 3-PICOSTAR Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.35 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 235 pF @ 6 V |
на замовлення 1604 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
 |
CSD23382F4T | Виробник : Texas Instruments |
Trans MOSFET P-CH 12V 3.5A 3-Pin PicoStar T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||
| CSD23382F4T | Виробник : TEXAS INSTRUMENTS |
CSD23382F4T SMD P channel transistors |
товару немає в наявності |