CSD23382F4T Texas Instruments


suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd23382f4
Виробник: Texas Instruments
Description: MOSFET P-CH 12V 3.5A 3PICOSTAR
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 3-PICOSTAR
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 76mOhm @ 500mA, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-XFDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 235 pF @ 6 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.35 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
на замовлення 1148 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
12+24.98 грн
100+24.36 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис CSD23382F4T Texas Instruments

Description: MOSFET P-CH 12V 3.5A 3PICOSTAR, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 3-XFDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 76mOhm @ 500mA, 4.5V, Power Dissipation (Max): 500mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA, Supplier Device Package: 3-PICOSTAR, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Vgs (Max): ±8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.35 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 235 pF @ 6 V.

Інші пропозиції CSD23382F4T за ціною від 23.98 грн до 27.51 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
CSD23382F4T CSD23382F4T Texas Instruments suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd23382f4 Description: MOSFET P-CH 12V 3.5A 3PICOSTAR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 76mOhm @ 500mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 3-PICOSTAR
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.35 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 235 pF @ 6 V
на замовлення 750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+25.29 грн
500+24.28 грн
750+23.98 грн
Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD23382F4T CSD23382F4T Texas Instruments suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd23382f4 MOSFETs P-Ch NexFET Power MOSFET
на замовлення 5618 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
13+26.01 грн
100+25.40 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD23382F4T CSD23382F4T Texas Instruments suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd23382f4 Description: MOSFET P-CH 12V 3.5A 3PICOSTAR
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 235 pF @ 6 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.35 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Supplier Device Package: 3-PICOSTAR
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 76mOhm @ 500mA, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-XFDFN
Packaging: Bulk
на замовлення 1604 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
802+27.51 грн
Мінімальне замовлення: 802 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD23382F4T suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd23382f4
Виробник: Texas Instruments
Description: MOSFET P-CH 12V 3.5A 3PICOSTAR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 76mOhm @ 500mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 3-PICOSTAR
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.35 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 235 pF @ 6 V
на замовлення 750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
250+25.29 грн
500+24.28 грн
750+23.98 грн
Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD23382F4T suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd23382f4
Виробник: Texas Instruments
MOSFETs P-Ch NexFET Power MOSFET
на замовлення 5618 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
13+26.01 грн
100+25.40 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD23382F4T suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd23382f4
Виробник: Texas Instruments
Description: MOSFET P-CH 12V 3.5A 3PICOSTAR
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 235 pF @ 6 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.35 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Supplier Device Package: 3-PICOSTAR
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 76mOhm @ 500mA, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-XFDFN
Packaging: Bulk
на замовлення 1604 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
802+27.51 грн
Мінімальне замовлення: 802 шт
В кошику  од. на суму  грн.