CSD25201W15 TEXAS INSTRUMENTS
Виробник: TEXAS INSTRUMENTSDescription: TEXAS INSTRUMENTS - CSD25201W15 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4 A, 0.033 ohm, DSBGA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 1.5W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: DSBGA
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.033ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.033ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 2285 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 34+ | 22.37 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис CSD25201W15 TEXAS INSTRUMENTS
Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD25201W15 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4 A, 0.033 ohm, DSBGA, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 4A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 1.5W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.5W, Bauform - Transistor: DSBGA, Anzahl der Pins: 9Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Wandlerpolarität: p-Kanal, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.033ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.033ohm, SVHC: No SVHC (10-Jun-2022).
Інші пропозиції CSD25201W15 за ціною від 22.2 грн до 66.17 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
CSD25201W15 | Виробник : Texas Instruments |
Description: MOSFET P-CH 20V 4A 9DSBGA Packaging: Bulk Package / Case: 9-UFBGA, DSBGA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 2A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA Supplier Device Package: 9-DSBGA Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): -6V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.6 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 510 pF @ 10 V |
на замовлення 1086 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
CSD25201W15 | Виробник : Texas Instruments |
MOSFET P-Channel NexFET Pwr MOSFET |
на замовлення 2778 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
CSD25201W15 | Виробник : Texas Instruments |
Trans MOSFET P-CH 20V 4A 9-Pin Wafer T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
CSD25201W15 | Виробник : Texas Instruments |
Description: MOSFET P-CH 20V 4A 9DSBGA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 9-UFBGA, DSBGA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 2A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA Supplier Device Package: 9-DSBGA Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): -6V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.6 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 510 pF @ 10 V |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
CSD25201W15 | Виробник : Texas Instruments |
Description: MOSFET P-CH 20V 4A 9DSBGA Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 9-UFBGA, DSBGA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 2A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA Supplier Device Package: 9-DSBGA Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): -6V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.6 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 510 pF @ 10 V |
товар відсутній |