Продукція > TEXAS INSTRUMENTS > CSD25202W15
CSD25202W15

CSD25202W15 Texas Instruments

suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd25202w15 Виробник: Texas Instruments
MOSFETs 20V P-channel NexFET Pwr MOSFET A 595-CSD25202W15T
на замовлення 2869 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+66.67 грн
10+45.58 грн
100+26.42 грн
500+20.38 грн
1000+17.89 грн
3000+15.78 грн
6000+14.04 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис CSD25202W15 Texas Instruments

Description: MOSFET P-CH 20V 4A 9DSBGA, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 9-UFBGA, DSBGA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 2A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 500mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.05V @ 250µA, Supplier Device Package: 9-DSBGA, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Vgs (Max): -6V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1010 pF @ 10 V.

Інші пропозиції CSD25202W15 за ціною від 18.55 грн до 71.86 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
CSD25202W15 CSD25202W15 Виробник : Texas Instruments suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd25202w15 Description: MOSFET P-CH 20V 4A 9DSBGA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 9-UFBGA, DSBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.05V @ 250µA
Supplier Device Package: 9-DSBGA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): -6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1010 pF @ 10 V
на замовлення 2890 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+71.86 грн
10+43.49 грн
100+27.77 грн
500+20.54 грн
1000+18.55 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
CSD25202W15 CSD25202W15 Виробник : Texas Instruments suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd25202w15 Description: MOSFET P-CH 20V 4A 9DSBGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 9-UFBGA, DSBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.05V @ 250µA
Supplier Device Package: 9-DSBGA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): -6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1010 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.