Продукція > TEXAS INSTRUMENTS > CSD25202W15T
CSD25202W15T

CSD25202W15T Texas Instruments

suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd25202w15
Виробник: Texas Instruments
Description: MOSFET P-CH 20V 4A 9DSBGA
Packaging: Bulk
Package / Case: 9-UFBGA, DSBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.05V @ 250µA
Supplier Device Package: 9-DSBGA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): -6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1010 pF @ 10 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
565+39.24 грн
Мінімальне замовлення: 565 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис CSD25202W15T Texas Instruments

Description: MOSFET P-CH 20V 4A 9DSBGA, Supplier Device Package: 9-DSBGA, Vgs(th) (Max) @ Id: 1.05V @ 250µA, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Part Status: Active, Power Dissipation (Max): 500mW (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 2A, 4.5V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta), FET Type: P-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 9-UFBGA, DSBGA, Packaging: Tape & Reel (TR), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1010 pF @ 10 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5 nC @ 4.5 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Vgs (Max): -6V.

Інші пропозиції CSD25202W15T за ціною від 36.59 грн до 135.13 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
CSD25202W15T CSD25202W15T Texas Instruments suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd25202w15 Description: MOSFET P-CH 20V 4A 9DSBGA
Supplier Device Package: 9-DSBGA
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.05V @ 250µA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Part Status: Active
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 2A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 9-UFBGA, DSBGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1010 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): -6V
на замовлення 1250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+50.06 грн
500+43.78 грн
750+41.53 грн
1250+36.59 грн
Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD25202W15T CSD25202W15T Texas Instruments suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd25202w15 Description: MOSFET P-CH 20V 4A 9DSBGA
Part Status: Active
Supplier Device Package: 9-DSBGA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 2A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.05V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 9-UFBGA, DSBGA
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1010 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): -6V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
на замовлення 1450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+135.13 грн
10+82.42 грн
100+55.36 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD25202W15T suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd25202w15
CSD25202W15T
Виробник: Texas Instruments
Description: MOSFET P-CH 20V 4A 9DSBGA
Supplier Device Package: 9-DSBGA
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.05V @ 250µA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Part Status: Active
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 2A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 9-UFBGA, DSBGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1010 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): -6V
на замовлення 1250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
250+50.06 грн
500+43.78 грн
750+41.53 грн
1250+36.59 грн
Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD25202W15T suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd25202w15
CSD25202W15T
Виробник: Texas Instruments
Description: MOSFET P-CH 20V 4A 9DSBGA
Part Status: Active
Supplier Device Package: 9-DSBGA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 2A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.05V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 9-UFBGA, DSBGA
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1010 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): -6V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
на замовлення 1450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+135.13 грн
10+82.42 грн
100+55.36 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.