CSD25211W1015 Texas Instruments
Виробник: Texas Instruments
Description: MOSFET P-CH 20V 3.2A 6DSBGA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.1 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): -6V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 6-DSBGA (1x1.5)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 1.5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-UFBGA, DSBGA
Packaging: Cut Tape (CT)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 7+ | 49.27 грн |
| 10+ | 31.78 грн |
| 100+ | 21.73 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис CSD25211W1015 Texas Instruments
Description: MOSFET P-CH 20V 3.2A 6DSBGA, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-UFBGA, DSBGA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 1.5A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 1W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA, Supplier Device Package: 6-DSBGA (1x1.5), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Vgs (Max): -6V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.1 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 10 V.
Інші пропозиції CSD25211W1015
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
CSD25211W1015 | Texas Instruments |
MOSFETs PCh NexFET Power MOS FET |
на замовлення 2183 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| CSD25211W1015 |
|
Виробник: Texas Instruments
MOSFETs PCh NexFET Power MOS FET
MOSFETs PCh NexFET Power MOS FET
на замовлення 2183 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)