Продукція > TEXAS INSTRUMENTS > CSD25211W1015
CSD25211W1015

CSD25211W1015 Texas Instruments

suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd25211w1015 Виробник: Texas Instruments
MOSFET PCh NexFET Power MOSFET
на замовлення 4393 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+44.94 грн
10+ 37.62 грн
100+ 23.37 грн
500+ 19.09 грн
1000+ 15.15 грн
3000+ 11.88 грн
9000+ 11.08 грн
Мінімальне замовлення: 7
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис CSD25211W1015 Texas Instruments

Description: MOSFET P-CH 20V 3.2A 6DSBGA, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-UFBGA, DSBGA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 1.5A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 1W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA, Supplier Device Package: 6-DSBGA (1x1.5), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Vgs (Max): -6V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.1 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 10 V.

Інші пропозиції CSD25211W1015 за ціною від 29.24 грн до 47.66 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
CSD25211W1015 CSD25211W1015 Виробник : Texas Instruments suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd25211w1015 Description: MOSFET P-CH 20V 3.2A 6DSBGA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UFBGA, DSBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 1.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-DSBGA (1x1.5)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): -6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 10 V
на замовлення 383 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+47.66 грн
10+ 39.15 грн
100+ 29.24 грн
Мінімальне замовлення: 7
CSD25211W1015 CSD25211W1015 Виробник : Texas Instruments suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd25211w1015 Description: MOSFET P-CH 20V 3.2A 6DSBGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UFBGA, DSBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 1.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-DSBGA (1x1.5)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): -6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 10 V
товар відсутній