Продукція > TEXAS INSTRUMENTS > CSD25213W10
CSD25213W10

CSD25213W10 Texas Instruments

suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd25213w10
Виробник: Texas Instruments
Description: MOSFET P-CH 20V 1.6A 4DSBGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-UFBGA, DSBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 4-DSBGA (1x1)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): -6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 478 pF @ 10 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+8.68 грн
6000+7.60 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис CSD25213W10 Texas Instruments

Description: MOSFET P-CH 20V 1.6A 4DSBGA, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 4-UFBGA, DSBGA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47mOhm @ 1A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 1W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA, Supplier Device Package: 4-DSBGA (1x1), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Vgs (Max): -6V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.9 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 478 pF @ 10 V.

Інші пропозиції CSD25213W10 за ціною від 7.55 грн до 39.10 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
CSD25213W10 CSD25213W10 Texas Instruments suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd25213w10 Description: MOSFET P-CH 20V 1.6A 4DSBGA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-UFBGA, DSBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 4-DSBGA (1x1)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): -6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 478 pF @ 10 V
на замовлення 7931 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+39.10 грн
14+23.04 грн
100+14.67 грн
500+10.35 грн
1000+9.25 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD25213W10 CSD25213W10 Texas Instruments suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd25213w10 MOSFETs P-CH NexFET Pwr MOSF ET
на замовлення 5680 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
CSD25213W10 Texas Instruments suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd25213w10 Trans MOSFET P-CH 20V 1.6A 4-Pin DSBGA T/R
на замовлення 2287 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
29+26.05 грн
37+20.51 грн
100+13.33 грн
250+11.85 грн
500+9.13 грн
1000+7.55 грн
Мінімальне замовлення: 29 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD25213W10 suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd25213w10
CSD25213W10
Виробник: Texas Instruments
Description: MOSFET P-CH 20V 1.6A 4DSBGA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-UFBGA, DSBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 4-DSBGA (1x1)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): -6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 478 pF @ 10 V
на замовлення 7931 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8+39.10 грн
14+23.04 грн
100+14.67 грн
500+10.35 грн
1000+9.25 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD25213W10 suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd25213w10
CSD25213W10
Виробник: Texas Instruments
MOSFETs P-CH NexFET Pwr MOSF ET
на замовлення 5680 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
CSD25213W10 suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd25213w10
Виробник: Texas Instruments
Trans MOSFET P-CH 20V 1.6A 4-Pin DSBGA T/R
на замовлення 2287 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
29+26.05 грн
37+20.51 грн
100+13.33 грн
250+11.85 грн
500+9.13 грн
1000+7.55 грн
Мінімальне замовлення: 29 шт
В кошику  од. на суму  грн.