CSD25213W10 Texas Instruments
Виробник: Texas InstrumentsDescription: MOSFET P-CH 20V 1.6A 4DSBGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-UFBGA, DSBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 4-DSBGA (1x1)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): -6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 478 pF @ 10 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 7.82 грн |
| 6000+ | 7.03 грн |
| 9000+ | 6.53 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис CSD25213W10 Texas Instruments
Description: MOSFET P-CH 20V 1.6A 4DSBGA, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 4-UFBGA, DSBGA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47mOhm @ 1A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 1W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA, Supplier Device Package: 4-DSBGA (1x1), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Vgs (Max): -6V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.9 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 478 pF @ 10 V.
Інші пропозиції CSD25213W10 за ціною від 5.80 грн до 33.34 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
CSD25213W10 | Виробник : Texas Instruments |
MOSFETs P-CH NexFET Pwr MOSFET |
на замовлення 4520 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
CSD25213W10 | Виробник : Texas Instruments |
Description: MOSFET P-CH 20V 1.6A 4DSBGA Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 4-UFBGA, DSBGA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47mOhm @ 1A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA Supplier Device Package: 4-DSBGA (1x1) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): -6V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.9 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 478 pF @ 10 V |
на замовлення 12176 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|