CSD25310Q2T Texas Instruments
Виробник: Texas Instruments
Description: MOSFET P-CH 20V 20A 6WSON
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 655 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.7 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 6-WSON (2x2)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.9W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23.9mOhm @ 5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Packaging: Tape & Reel (TR)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 250+ | 42.16 грн |
| 500+ | 36.82 грн |
| 750+ | 34.89 грн |
| 1250+ | 30.71 грн |
| 1750+ | 29.51 грн |
| 2500+ | 28.34 грн |
| 6250+ | 25.35 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис CSD25310Q2T Texas Instruments
Description: MOSFET P-CH 20V 20A 6WSON, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 655 pF @ 10 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.7 nC @ 4.5 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Vgs (Max): ±8V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Part Status: Active, Supplier Device Package: 6-WSON (2x2), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 2.9W (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23.9mOhm @ 5A, 4.5V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), FET Type: P-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad, Packaging: Tape & Reel (TR).
Інші пропозиції CSD25310Q2T за ціною від 28.51 грн до 134.13 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
CSD25310Q2T | Texas Instruments |
Description: MOSFET P-CH 20V 20A 6WSON Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 655 pF @ 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.7 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Vgs (Max): ±8V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Part Status: Active Supplier Device Package: 6-WSON (2x2) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA Power Dissipation (Max): 2.9W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23.9mOhm @ 5A, 4.5V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad Packaging: Cut Tape (CT) |
на замовлення 11965 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
CSD25310Q2T | Texas Instruments |
MOSFETs -20-V P channel Nex FET power MOSFET si A 595-CSD25310Q2 |
на замовлення 16705 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
CSD25310Q2T | Texas Instruments |
Trans MOSFET P-CH 20V 20A 6-Pin WSON EP T/R |
на замовлення 250 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
CSD25310Q2T | Texas Instruments |
Trans MOSFET P-CH 20V 20A 6-Pin WSON EP T/R |
на замовлення 20 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| CSD25310Q2T |
|
Виробник: Texas Instruments
Description: MOSFET P-CH 20V 20A 6WSON
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 655 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.7 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 6-WSON (2x2)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.9W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23.9mOhm @ 5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Packaging: Cut Tape (CT)
Description: MOSFET P-CH 20V 20A 6WSON
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 655 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.7 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 6-WSON (2x2)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.9W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23.9mOhm @ 5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 11965 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 114.17 грн |
| 10+ | 69.70 грн |
| 100+ | 46.70 грн |
| CSD25310Q2T |
|
Виробник: Texas Instruments
MOSFETs -20-V P channel Nex FET power MOSFET si A 595-CSD25310Q2
MOSFETs -20-V P channel Nex FET power MOSFET si A 595-CSD25310Q2
на замовлення 16705 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 117.59 грн |
| 10+ | 73.75 грн |
| 100+ | 37.28 грн |
| 500+ | 32.03 грн |
| 1000+ | 28.86 грн |
| 2500+ | 28.51 грн |
| CSD25310Q2T |
|
Виробник: Texas Instruments
Trans MOSFET P-CH 20V 20A 6-Pin WSON EP T/R
Trans MOSFET P-CH 20V 20A 6-Pin WSON EP T/R
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 106+ | 134.13 грн |
| 153+ | 92.91 грн |
| 246+ | 57.82 грн |
| CSD25310Q2T |
|
Виробник: Texas Instruments
Trans MOSFET P-CH 20V 20A 6-Pin WSON EP T/R
Trans MOSFET P-CH 20V 20A 6-Pin WSON EP T/R
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)