CSD25402Q3A Texas Instruments
Виробник: Texas Instruments
Description: MOSFET P-CH 20V 76A 8VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 76A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.9mOhm @ 10A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.15V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1790 pF @ 10 V
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2500+ | 23.00 грн |
| 5000+ | 20.46 грн |
| 7500+ | 19.60 грн |
| 12500+ | 17.49 грн |
| 17500+ | 16.95 грн |
| 25000+ | 16.43 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис CSD25402Q3A Texas Instruments
Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD25402Q3A - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 35 A, 7700 µohm, VSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 35A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 69W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 69W, Bauform - Transistor: VSON, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Wandlerpolarität: p-Kanal, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0077ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 125°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7700µohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).
Інші пропозиції CSD25402Q3A за ціною від 21.88 грн до 95.04 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
CSD25402Q3A | TEXAS INSTRUMENTS |
Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD25402Q3A - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 35 A, 7700 µohm, VSON, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 35A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 69W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV euEccn: NLR Verlustleistung: 69W Bauform - Transistor: VSON Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Wandlerpolarität: p-Kanal Kanaltyp: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0077ohm Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 125°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7700µohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
на замовлення 348 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
CSD25402Q3A | Texas Instruments |
MOSFET P-CH Pwr MOSFET |
на замовлення 58246 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
CSD25402Q3A | Texas Instruments |
Description: MOSFET P-CH 20V 76A 8VSONPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 76A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.9mOhm @ 10A, 4.5V Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 69W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.15V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSONP (3x3.3) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.7 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1790 pF @ 10 V |
на замовлення 51761 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
CSD25402Q3A | TEXAS INSTRUMENTS |
Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD25402Q3A - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 35 A, 7700 µohm, VSON, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 35A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV euEccn: NLR Verlustleistung: 69W Bauform - Transistor: VSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 125°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7700µohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
на замовлення 348 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| CSD25402Q3A |
![]() |
Виробник: TEXAS INSTRUMENTS
Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD25402Q3A - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 35 A, 7700 µohm, VSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 69W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: VSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0077ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7700µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD25402Q3A - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 35 A, 7700 µohm, VSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 69W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: VSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0077ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7700µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 348 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 39.63 грн |
| CSD25402Q3A |
![]() |
Виробник: Texas Instruments
MOSFET P-CH Pwr MOSFET
MOSFET P-CH Pwr MOSFET
на замовлення 58246 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 65.16 грн |
| 10+ | 53.19 грн |
| 100+ | 35.97 грн |
| 500+ | 30.31 грн |
| 1000+ | 24.16 грн |
| 2500+ | 22.92 грн |
| 5000+ | 21.88 грн |
| CSD25402Q3A |
![]() |
Виробник: Texas Instruments
Description: MOSFET P-CH 20V 76A 8VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 76A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.9mOhm @ 10A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.15V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1790 pF @ 10 V
Description: MOSFET P-CH 20V 76A 8VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 76A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.9mOhm @ 10A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.15V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1790 pF @ 10 V
на замовлення 51761 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 88.54 грн |
| 10+ | 53.40 грн |
| 100+ | 35.23 грн |
| 500+ | 25.72 грн |
| 1000+ | 23.35 грн |
| CSD25402Q3A |
![]() |
Виробник: TEXAS INSTRUMENTS
Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD25402Q3A - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 35 A, 7700 µohm, VSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: VSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7700µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD25402Q3A - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 35 A, 7700 µohm, VSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: VSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7700µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 348 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 9+ | 95.04 грн |
| 14+ | 60.00 грн |
| 100+ | 39.63 грн |




