CSD25402Q3A Texas Instruments
Виробник: Texas InstrumentsDescription: MOSFET P-CH 20V 76A 8VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 76A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.9mOhm @ 10A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.15V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1790 pF @ 10 V
на замовлення 11300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2500+ | 26.14 грн |
| 5000+ | 23.29 грн |
| 7500+ | 22.34 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис CSD25402Q3A Texas Instruments
Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD25402Q3A - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 35 A, 7700 µohm, VSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 35A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 69W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 69W, Bauform - Transistor: VSON, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: p-Kanal, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0077ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 125°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7700µohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).
Інші пропозиції CSD25402Q3A за ціною від 24.32 грн до 87.98 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
CSD25402Q3A | Виробник : Texas Instruments |
Trans MOSFET P-CH 20V 35A 8-Pin VSONP EP T/R |
на замовлення 212500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
CSD25402Q3A | Виробник : Texas Instruments |
Trans MOSFET P-CH 20V 35A 8-Pin VSONP EP T/R |
на замовлення 1808 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
CSD25402Q3A | Виробник : Texas Instruments |
MOSFET P-CH Pwr MOSFET |
на замовлення 58246 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
CSD25402Q3A | Виробник : Texas Instruments |
Trans MOSFET P-CH 20V 35A 8-Pin VSONP EP T/R |
на замовлення 1808 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
CSD25402Q3A | Виробник : Texas Instruments |
Description: MOSFET P-CH 20V 76A 8VSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 76A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.9mOhm @ 10A, 4.5V Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 69W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.15V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSONP (3x3.3) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.7 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1790 pF @ 10 V |
на замовлення 12368 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
CSD25402Q3A | Виробник : TEXAS INSTRUMENTS |
Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD25402Q3A - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 35 A, 7700 µohm, VSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 35A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV euEccn: NLR Verlustleistung: 69W Bauform - Transistor: VSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 125°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7700µohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
|
|
CSD25402Q3A | Виробник : TEXAS INSTRUMENTS |
Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD25402Q3A - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 35 A, 7700 µohm, VSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 35A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 69W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV euEccn: NLR Verlustleistung: 69W Bauform - Transistor: VSON Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: p-Kanal Kanaltyp: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0077ohm Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 125°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7700µohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
|
|
CSD25402Q3A | Виробник : Texas Instruments |
Trans MOSFET P-CH 20V 35A 8-Pin VSONP EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
CSD25402Q3A | Виробник : Texas Instruments |
Trans MOSFET P-CH 20V 35A 8-Pin VSONP EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
 |
CSD25402Q3A | Виробник : Texas Instruments |
Trans MOSFET P-CH 20V 35A 8-Pin VSONP EP T/R |
товару немає в наявності |