Продукція > TEXAS INSTRUMENTS > CSD25404Q3T
CSD25404Q3T

CSD25404Q3T Texas Instruments

suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd25404q3 Виробник: Texas Instruments
Description: MOSFET P-CH 20V 104A 8VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 104A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 10A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.15V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2120 pF @ 10 V
на замовлення 6250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
250+59.22 грн
500+51.94 грн
750+49.36 грн
1250+43.58 грн
1750+41.97 грн
2500+40.39 грн
6250+37.28 грн
Мінімальне замовлення: 250
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис CSD25404Q3T Texas Instruments

Description: MOSFET P-CH 20V 104A 8VSON, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerVDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 104A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 10A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 96W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.15V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-VSONP (3x3.3), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Vgs (Max): ±12V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.1 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2120 pF @ 10 V.

Інші пропозиції CSD25404Q3T за ціною від 38.05 грн до 156.59 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
CSD25404Q3T CSD25404Q3T Виробник : Texas Instruments suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd25404q3 MOSFETs -20V, P-channel NexFET Pwr MOSFET
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+113.51 грн
10+88.87 грн
100+38.05 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
CSD25404Q3T CSD25404Q3T Виробник : TEXAS INSTRUMENTS suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd25404q3 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -60A; 96W; VSON-CLIP8
Technology: NexFET™
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain current: -60A
Drain-source voltage: -20V
Gate charge: 10.9nC
Dimensions: 3.3x3.3mm
On-state resistance: 5.5mΩ
Power dissipation: 96W
Gate-source voltage: ±12V
Kind of package: reel; tape
Case: VSON-CLIP8
на замовлення 373 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+120.68 грн
10+84.04 грн
15+75.81 грн
50+56.85 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
CSD25404Q3T CSD25404Q3T Виробник : TEXAS INSTRUMENTS suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd25404q3 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -60A; 96W; VSON-CLIP8
Technology: NexFET™
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain current: -60A
Drain-source voltage: -20V
Gate charge: 10.9nC
Dimensions: 3.3x3.3mm
On-state resistance: 5.5mΩ
Power dissipation: 96W
Gate-source voltage: ±12V
Kind of package: reel; tape
Case: VSON-CLIP8
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 373 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
3+144.82 грн
10+104.73 грн
15+90.97 грн
50+68.22 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
CSD25404Q3T CSD25404Q3T Виробник : Texas Instruments suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd25404q3 Description: MOSFET P-CH 20V 104A 8VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 104A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 10A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.15V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2120 pF @ 10 V
на замовлення 6402 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+156.59 грн
10+96.32 грн
100+65.24 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
CSD25404Q3T Виробник : Texas Instruments suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd25404q3 P-канальний ПТ; Udss, В = 20; Id = 104 А; Ciss, пФ @ Uds, В = 2120 @ 10; Qg, нКл = 14,1 @ 4,5 В; Rds = 6,5 мОм @ 10 A, 4,5 В; Ugs(th) = 1,15 В @ 250 мкА; Р, Вт = 2,8; 96; Тексп, °C = -55...+150; Тип монт. = smd; PowerVDFN-8
на замовлення 50 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.