.jpg "CSD25404Q3T")
CSD25404Q3T Texas Instruments
Виробник: Texas InstrumentsDescription: MOSFET P-CH 20V 104A 8VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 104A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 10A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.15V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2120 pF @ 10 V
на замовлення 8250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 250+ | 55.19 грн |
| 500+ | 45.48 грн |
| 1250+ | 37.05 грн |
| 2500+ | 32.73 грн |
| 6250+ | 31.17 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис CSD25404Q3T Texas Instruments
Description: MOSFET P-CH 20V 104A 8VSON, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerVDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 104A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 10A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 96W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.15V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-VSONP (3x3.3), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Vgs (Max): ±12V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.1 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2120 pF @ 10 V.
Інші пропозиції CSD25404Q3T за ціною від 32.38 грн до 95.02 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
CSD25404Q3T | Виробник : TEXAS INSTRUMENTS |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -60A; 96W; VSON-CLIP8 Case: VSON-CLIP8 Mounting: SMD On-state resistance: 5.5mΩ Kind of package: reel; tape Technology: NexFET™ Drain-source voltage: -20V Drain current: -60A Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 96W Polarisation: unipolar Dimensions: 3.3x3.3mm Gate charge: 10.9nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±12V |
на замовлення 426 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
CSD25404Q3T | Виробник : Texas Instruments |
Description: MOSFET P-CH 20V 104A 8VSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 104A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 10A, 4.5V Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 96W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.15V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSONP (3x3.3) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.1 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2120 pF @ 10 V |
на замовлення 8714 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
CSD25404Q3T | Виробник : TEXAS INSTRUMENTS |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -60A; 96W; VSON-CLIP8 Case: VSON-CLIP8 Mounting: SMD On-state resistance: 5.5mΩ Kind of package: reel; tape Technology: NexFET™ Drain-source voltage: -20V Drain current: -60A Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 96W Polarisation: unipolar Dimensions: 3.3x3.3mm Gate charge: 10.9nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±12V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 426 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
CSD25404Q3T | Виробник : Texas Instruments |
MOSFET -20V, P-channel NexFET Pwr MOSFET |
на замовлення 4327 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| CSD25404Q3T | Виробник : Texas Instruments |
P-канальний ПТ; Udss, В = 20; Id = 104 А; Ciss, пФ @ Uds, В = 2120 @ 10; Qg, нКл = 14,1 @ 4,5 В; Rds = 6,5 мОм @ 10 A, 4,5 В; Ugs(th) = 1,15 В @ 250 мкА; Р, Вт = 2,8; 96; Тексп, °C = -55...+150; Тип монт. = smd; PowerVDFN-8 |
на замовлення 50 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|