Продукція > TEXAS INSTRUMENTS > CSD25404Q3T
CSD25404Q3T

CSD25404Q3T Texas Instruments

suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd25404q3 Виробник: Texas Instruments
Description: MOSFET P-CH 20V 104A 8VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 104A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 10A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.15V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2120 pF @ 10 V
на замовлення 8250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
250+43.69 грн
500+36.00 грн
1250+35.61 грн
Мінімальне замовлення: 250
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис CSD25404Q3T Texas Instruments

Description: MOSFET P-CH 20V 104A 8VSON, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerVDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 104A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 10A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 96W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.15V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-VSONP (3x3.3), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Vgs (Max): ±12V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.1 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2120 pF @ 10 V.

Інші пропозиції CSD25404Q3T за ціною від 35.30 грн до 112.63 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
CSD25404Q3T CSD25404Q3T Виробник : TEXAS INSTRUMENTS suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd25404q3 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -60A; 96W; VSON-CLIP8
Technology: NexFET™
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -60A
On-state resistance: 5.5mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 96W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Dimensions: 3.3x3.3mm
Gate charge: 10.9nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
Mounting: SMD
Case: VSON-CLIP8
на замовлення 408 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+93.86 грн
10+69.57 грн
15+64.98 грн
16+58.10 грн
43+55.04 грн
50+52.75 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
CSD25404Q3T CSD25404Q3T Виробник : Texas Instruments suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd25404q3 Description: MOSFET P-CH 20V 104A 8VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 104A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 10A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.15V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2120 pF @ 10 V
на замовлення 8714 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+99.24 грн
10+77.67 грн
100+60.43 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
CSD25404Q3T CSD25404Q3T Виробник : Texas Instruments suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd25404q3 MOSFETs -20V, P-channel NexFET Pwr MOSFET
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+105.32 грн
10+82.46 грн
100+35.30 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
CSD25404Q3T CSD25404Q3T Виробник : TEXAS INSTRUMENTS suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd25404q3 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -60A; 96W; VSON-CLIP8
Technology: NexFET™
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -60A
On-state resistance: 5.5mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 96W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Dimensions: 3.3x3.3mm
Gate charge: 10.9nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
Mounting: SMD
Case: VSON-CLIP8
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 408 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+112.63 грн
10+86.69 грн
15+77.98 грн
16+69.72 грн
43+66.05 грн
50+63.30 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
CSD25404Q3T Виробник : Texas Instruments suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd25404q3 P-канальний ПТ; Udss, В = 20; Id = 104 А; Ciss, пФ @ Uds, В = 2120 @ 10; Qg, нКл = 14,1 @ 4,5 В; Rds = 6,5 мОм @ 10 A, 4,5 В; Ugs(th) = 1,15 В @ 250 мкА; Р, Вт = 2,8; 96; Тексп, °C = -55...+150; Тип монт. = smd; PowerVDFN-8
на замовлення 50 шт:
термін постачання 3-4 дні (днів)
Кількість Ціна
8+84.69 грн
10+79.05 грн
100+73.40 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.