CSD25481F4 Texas Instruments
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 4.75 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис CSD25481F4 Texas Instruments
Description: MOSFET P-CH 20V 2.5A 3PICOSTAR, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 3-XFDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 88mOhm @ 500mA, 8V, Power Dissipation (Max): 500mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA, Supplier Device Package: 3-PICOSTAR, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Vgs (Max): -12V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.913 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 189 pF @ 10 V.
Інші пропозиції CSD25481F4 за ціною від 4.68 грн до 34.33 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
CSD25481F4 | Виробник : Texas Instruments |
 Description: MOSFET P-CH 20V 2.5A 3PICOSTARPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-XFDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 88mOhm @ 500mA, 8V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Supplier Device Package: 3-PICOSTAR Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): -12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.913 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 189 pF @ 10 V |
на замовлення 45000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
CSD25481F4 | Виробник : Texas Instruments |
Description: MOSFET P-CH 20V 2.5A 3PICOSTAR Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 3-XFDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 88mOhm @ 500mA, 8V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Supplier Device Package: 3-PICOSTAR Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): -12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.913 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 189 pF @ 10 V |
на замовлення 45561 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
CSD25481F4 | Виробник : Texas Instruments |
MOSFET P-CH Pwr MOSFET 20V 90mohm |
на замовлення 18603 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| CSD25481F4 | Виробник : Texas Instruments Incorporated (TI) |
MOSFET P-CH 20V 2.5A 3PICOSTAR |
на замовлення 10 шт: термін постачання 5 дні (днів) |