CSD25481F4 Texas Instruments
Виробник: Texas Instruments
Description: MOSFET P-CH 20V 2.5A 3PICOSTAR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 88mOhm @ 500mA, 8V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 3-PICOSTAR (1x0.60)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): -12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.913 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 189 pF @ 10 V
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 6.52 грн |
| 6000+ | 5.69 грн |
| 9000+ | 5.38 грн |
| 15000+ | 4.73 грн |
| 21000+ | 4.55 грн |
| 30000+ | 4.36 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис CSD25481F4 Texas Instruments
Description: MOSFET P-CH 20V 2.5A 3PICOSTAR, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 3-XFDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 88mOhm @ 500mA, 8V, Power Dissipation (Max): 500mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA, Supplier Device Package: 3-PICOSTAR (1x0.60), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Vgs (Max): -12V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.913 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 189 pF @ 10 V.
Інші пропозиції CSD25481F4 за ціною від 5.52 грн до 132.90 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
CSD25481F4 | Texas Instruments |
Description: MOSFET P-CH 20V 2.5A 3PICOSTAR Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 3-XFDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 88mOhm @ 500mA, 8V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Supplier Device Package: 3-PICOSTAR (1x0.60) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): -12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.913 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 189 pF @ 10 V |
на замовлення 124749 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
CSD25481F4 | Texas Instruments |
MOSFETs P-CH Pwr MOSFET 20V 90mohm A 595-CSD25481F4T |
на замовлення 4521 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
CSD25481F4 | Texas Instruments |
MOSFET P-CH 20V 2.5A 3PICOSTAR Транзистори |
на замовлення 10 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
|
| CSD25481F4 |
|
Виробник: Texas Instruments
Description: MOSFET P-CH 20V 2.5A 3PICOSTAR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 88mOhm @ 500mA, 8V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 3-PICOSTAR (1x0.60)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): -12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.913 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 189 pF @ 10 V
Description: MOSFET P-CH 20V 2.5A 3PICOSTAR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 88mOhm @ 500mA, 8V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 3-PICOSTAR (1x0.60)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): -12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.913 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 189 pF @ 10 V
на замовлення 124749 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 11+ | 30.29 грн |
| 17+ | 17.80 грн |
| 100+ | 11.23 грн |
| 500+ | 7.86 грн |
| 1000+ | 6.99 грн |
| CSD25481F4 |
|
Виробник: Texas Instruments
MOSFETs P-CH Pwr MOSFET 20V 90mohm A 595-CSD25481F4T
MOSFETs P-CH Pwr MOSFET 20V 90mohm A 595-CSD25481F4T
на замовлення 4521 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 11+ | 31.17 грн |
| 14+ | 23.18 грн |
| 100+ | 12.50 грн |
| 500+ | 8.63 грн |
| 1000+ | 7.04 грн |
| 3000+ | 6.35 грн |
| 6000+ | 5.52 грн |
| CSD25481F4 |
|
Виробник: Texas Instruments
MOSFET P-CH 20V 2.5A 3PICOSTAR Транзистори
MOSFET P-CH 20V 2.5A 3PICOSTAR Транзистори
на замовлення 10 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 132.90 грн |