CSD25481F4T Texas Instruments
Виробник: Texas InstrumentsDescription: MOSFET P-CH 20V 2.5A 3PICOSTAR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 88mOhm @ 500mA, 8V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 3-PICOSTAR
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): -12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.91 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 189 pF @ 10 V
на замовлення 15500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 250+ | 36.32 грн |
| 500+ | 29.93 грн |
| 1250+ | 24.38 грн |
| 2500+ | 21.54 грн |
| 6250+ | 20.52 грн |
| 12500+ | 19.57 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис CSD25481F4T Texas Instruments
Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD25481F4T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2.5 A, 0.075 ohm, LGA, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 2.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 950mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 500mW, Bauform - Transistor: LGA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 8V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Інші пропозиції CSD25481F4T за ціною від 20.79 грн до 69.45 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
CSD25481F4T | Виробник : Texas Instruments |
Description: MOSFET P-CH 20V 2.5A 3PICOSTAR Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 3-XFDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 88mOhm @ 500mA, 8V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Supplier Device Package: 3-PICOSTAR Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): -12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.91 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 189 pF @ 10 V |
на замовлення 15679 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
CSD25481F4T | Виробник : Texas Instruments |
MOSFET 20V ,PCh FemtoFET MOSFET |
на замовлення 1997 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
CSD25481F4T | Виробник : TEXAS INSTRUMENTS |
Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD25481F4T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2.5 A, 0.075 ohm, LGA, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 950mV euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: LGA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 8V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 88 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
CSD25481F4T | Виробник : TEXAS INSTRUMENTS |
Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD25481F4T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2.5 A, 0.075 ohm, LGA, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 950mV euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: LGA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 8V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 88 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
 |
CSD25481F4T | Виробник : Texas Instruments |
Trans MOSFET P-CH 20V 2.5A 3-Pin PicoStar T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
| CSD25481F4T | Виробник : TEXAS INSTRUMENTS |
CSD25481F4T SMD P channel transistors |
товар відсутній |