CSD25481F4T Texas Instruments
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 250+ | 25.64 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис CSD25481F4T Texas Instruments
Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD25481F4T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2.5 A, 0.075 ohm, LGA, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 2.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 950mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 500mW, Bauform - Transistor: LGA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 8V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).
Інші пропозиції CSD25481F4T за ціною від 22.32 грн до 90.94 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
CSD25481F4T | Виробник : Texas Instruments |
 Description: MOSFET P-CH 20V 2.5A 3PICOSTARPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-XFDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 88mOhm @ 500mA, 8V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Supplier Device Package: 3-PICOSTAR Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): -12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.91 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 189 pF @ 10 V |
на замовлення 10250 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
CSD25481F4T | Виробник : TEXAS INSTRUMENTS |
Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD25481F4T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2.5 A, 0.075 ohm, LGA, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 950mV euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: LGA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 8V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
на замовлення 176 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
CSD25481F4T | Виробник : TEXAS INSTRUMENTS |
Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD25481F4T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2.5 A, 0.075 ohm, LGA, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 950mV euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: LGA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 8V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
на замовлення 176 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
CSD25481F4T | Виробник : Texas Instruments |
Description: MOSFET P-CH 20V 2.5A 3PICOSTAR Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 3-XFDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 88mOhm @ 500mA, 8V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Supplier Device Package: 3-PICOSTAR Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): -12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.91 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 189 pF @ 10 V |
на замовлення 10781 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
CSD25481F4T | Виробник : Texas Instruments |
MOSFETs 20V PCh FemtoFET MO SFET A 595-CSD25481F4 |
на замовлення 1116 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
| CSD25481F4T | Виробник : TEXAS INSTRUMENTS |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -2.5A; Idm: -13.1A; 500mW Drain current: -2.5A On-state resistance: 0.8Ω Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 0.5W Polarisation: unipolar Case: PICOSTAR3 Kind of package: reel; tape Mounting: SMD Technology: NexFET™ Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±12V Pulsed drain current: -13.1A Drain-source voltage: -20V кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||
| CSD25481F4T | Виробник : TEXAS INSTRUMENTS |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -2.5A; Idm: -13.1A; 500mW Drain current: -2.5A On-state resistance: 0.8Ω Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 0.5W Polarisation: unipolar Case: PICOSTAR3 Kind of package: reel; tape Mounting: SMD Technology: NexFET™ Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±12V Pulsed drain current: -13.1A Drain-source voltage: -20V |
товару немає в наявності |