CSD25483F4 Texas Instruments
Виробник: Texas Instruments
Description: MOSFET P-CH 20V 1.6A 3PICOSTAR
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 198 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.959 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): -12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 3-PICOSTAR
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 205mOhm @ 500mA, 8V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-XFDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 5.27 грн |
| 6000+ | 4.85 грн |
| 9000+ | 4.20 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис CSD25483F4 Texas Instruments
Description: MOSFET P-CH 20V 1.6A 3PICOSTAR, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 198 pF @ 10 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.959 nC @ 4.5 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Vgs (Max): -12V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Part Status: Active, Supplier Device Package: 3-PICOSTAR, Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 500mW (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 205mOhm @ 500mA, 8V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta), FET Type: P-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 3-XFDFN, Packaging: Tape & Reel (TR).
Інші пропозиції CSD25483F4 за ціною від 3.66 грн до 28.74 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
CSD25483F4 | Texas Instruments |
MOSFET 20V P-CH FemtoFET MOSFET |
на замовлення 14153 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
CSD25483F4 | Texas Instruments |
Description: MOSFET P-CH 20V 1.6A 3PICOSTAR Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 3-XFDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 205mOhm @ 500mA, 8V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Supplier Device Package: 3-PICOSTAR Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): -12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.959 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 198 pF @ 10 V |
на замовлення 14828 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| CSD25483F4 |
|
Виробник: Texas Instruments
MOSFET 20V P-CH FemtoFET MOSFET
MOSFET 20V P-CH FemtoFET MOSFET
на замовлення 14153 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 15+ | 21.75 грн |
| 21+ | 15.48 грн |
| 100+ | 6.01 грн |
| 1000+ | 4.90 грн |
| 3000+ | 4.42 грн |
| 9000+ | 3.93 грн |
| 24000+ | 3.66 грн |
| CSD25483F4 |
|
Виробник: Texas Instruments
Description: MOSFET P-CH 20V 1.6A 3PICOSTAR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 205mOhm @ 500mA, 8V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 3-PICOSTAR
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): -12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.959 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 198 pF @ 10 V
Description: MOSFET P-CH 20V 1.6A 3PICOSTAR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 205mOhm @ 500mA, 8V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 3-PICOSTAR
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): -12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.959 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 198 pF @ 10 V
на замовлення 14828 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 11+ | 28.74 грн |
| 16+ | 19.74 грн |
| 100+ | 9.97 грн |
| 500+ | 7.63 грн |
| 1000+ | 5.66 грн |