CSD25483F4T Texas Instruments
Виробник: Texas InstrumentsDescription: MOSFET P-CH 20V 1.6A 3PICOSTAR
Packaging: Bulk
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 205mOhm @ 500mA, 8V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 3-PICOSTAR
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): -12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.96 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 198 pF @ 10 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 862+ | 23.04 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис CSD25483F4T Texas Instruments
Description: MOSFET P-CH 20V 1.6A 3PICOSTAR, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 3-XFDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 205mOhm @ 500mA, 8V, Power Dissipation (Max): 500mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA, Supplier Device Package: 3-PICOSTAR, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Vgs (Max): -12V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.96 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 198 pF @ 10 V.
Інші пропозиції CSD25483F4T за ціною від 20.24 грн до 59.79 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
CSD25483F4T | Виробник : Texas Instruments |
Description: MOSFET P-CH 20V 1.6A 3PICOSTAR Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-XFDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 205mOhm @ 500mA, 8V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Supplier Device Package: 3-PICOSTAR Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): -12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.96 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 198 pF @ 10 V |
на замовлення 2750 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
CSD25483F4T | Виробник : Texas Instruments |
MOSFET 20V,P-Ch FemtoFET MOSFET |
на замовлення 2372 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
CSD25483F4T | Виробник : Texas Instruments |
Description: MOSFET P-CH 20V 1.6A 3PICOSTAR Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 3-XFDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 205mOhm @ 500mA, 8V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Supplier Device Package: 3-PICOSTAR Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): -12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.96 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 198 pF @ 10 V |
на замовлення 2840 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| CSD25483F4T | Виробник : TEXAS INSTRUMENTS |
CSD25483F4T SMD P channel transistors |
товар відсутній |