CSD25484F4 Texas Instruments
Виробник: Texas Instruments
Description: MOSFET P-CH 20V 2.5A 3PICOSTAR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 94mOhm @ 500mA, 8V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 3-PICOSTAR
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 8V
Vgs (Max): -12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.42 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 230 pF @ 10 V
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 7.26 грн |
| 9000+ | 6.01 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис CSD25484F4 Texas Instruments
Description: MOSFET P-CH 20V 2.5A 3PICOSTAR, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 3-XFDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 94mOhm @ 500mA, 8V, Power Dissipation (Max): 500mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA, Supplier Device Package: 3-PICOSTAR, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 8V, Vgs (Max): -12V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.42 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 230 pF @ 10 V.
Інші пропозиції CSD25484F4 за ціною від 6.55 грн до 33.63 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
CSD25484F4 | Texas Instruments |
Description: MOSFET P-CH 20V 2.5A 3PICOSTARPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 3-XFDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 94mOhm @ 500mA, 8V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Supplier Device Package: 3-PICOSTAR Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 8V Vgs (Max): -12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.42 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 230 pF @ 10 V |
на замовлення 10033 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
CSD25484F4 | Texas Instruments |
MOSFETs -20-V P channel Nex FET power MOSFET s A A 595-CSD25484F4T |
на замовлення 5756 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD25484F4 | Texas Instruments |
Trans MOSFET P-CH 20V 2.5A 3-Pin PicoStar T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| CSD25484F4 | Texas Instruments |
Trans MOSFET P-CH 20V 2.5A 3-Pin PicoStar T/R |
на замовлення 5650 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| CSD25484F4 |
![]() |
Виробник: Texas Instruments
Description: MOSFET P-CH 20V 2.5A 3PICOSTAR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 94mOhm @ 500mA, 8V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 3-PICOSTAR
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 8V
Vgs (Max): -12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.42 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 230 pF @ 10 V
Description: MOSFET P-CH 20V 2.5A 3PICOSTAR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 94mOhm @ 500mA, 8V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 3-PICOSTAR
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 8V
Vgs (Max): -12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.42 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 230 pF @ 10 V
на замовлення 10033 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 10+ | 33.63 грн |
| 16+ | 19.66 грн |
| 50+ | 14.20 грн |
| 100+ | 11.67 грн |
| 500+ | 8.72 грн |
| CSD25484F4 |
![]() |
Виробник: Texas Instruments
MOSFETs -20-V P channel Nex FET power MOSFET s A A 595-CSD25484F4T
MOSFETs -20-V P channel Nex FET power MOSFET s A A 595-CSD25484F4T
на замовлення 5756 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| CSD25484F4 |
![]() |
Виробник: Texas Instruments
Trans MOSFET P-CH 20V 2.5A 3-Pin PicoStar T/R
Trans MOSFET P-CH 20V 2.5A 3-Pin PicoStar T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 8.13 грн |
| CSD25484F4 |
![]() |
Виробник: Texas Instruments
Trans MOSFET P-CH 20V 2.5A 3-Pin PicoStar T/R
Trans MOSFET P-CH 20V 2.5A 3-Pin PicoStar T/R
на замовлення 5650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 24+ | 31.93 грн |
| 33+ | 23.06 грн |
| 100+ | 13.74 грн |
| 250+ | 12.59 грн |
| 500+ | 11.14 грн |
| 1000+ | 7.50 грн |
| 3000+ | 6.55 грн |



