
CSD25485F5T Texas Instruments

Description: MOSFET P-CH 20V 5.3A 3PICOSTAR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 900mA, 8V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 3-PICOSTAR
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 8V
Vgs (Max): -12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 533 pF @ 10 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
250+ | 30.96 грн |
500+ | 27.89 грн |
750+ | 27.39 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис CSD25485F5T Texas Instruments
Description: MOSFET P-CH 20V 5.3A 3PICOSTAR, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 3-XFDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 900mA, 8V, Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA, Supplier Device Package: 3-PICOSTAR, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 8V, Vgs (Max): -12V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.5 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 533 pF @ 10 V.
Інші пропозиції CSD25485F5T за ціною від 26.05 грн до 86.53 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
CSD25485F5T | Виробник : Texas Instruments |
![]() |
на замовлення 469 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
CSD25485F5T | Виробник : Texas Instruments |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 3-XFDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 900mA, 8V Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA Supplier Device Package: 3-PICOSTAR Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 8V Vgs (Max): -12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.5 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 533 pF @ 10 V |
на замовлення 2362 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
CSD25485F5T | Виробник : TEXAS INSTRUMENTS |
![]() |
товару немає в наявності |