CSD25501F3T Texas Instruments
Виробник: Texas Instruments
Description: MOSFET P-CH 20V 3.6A 3LGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFLGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 76mOhm @ 400mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.05V @ 250µA
Supplier Device Package: 3-LGA (0.73x0.64)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.33 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 385 pF @ 10 V
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 250+ | 36.07 грн |
| 500+ | 31.38 грн |
| 750+ | 29.68 грн |
| 1250+ | 26.05 грн |
| 1750+ | 24.98 грн |
| 2500+ | 23.94 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис CSD25501F3T Texas Instruments
Description: MOSFET P-CH 20V 3.6A 3LGA, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 3-XFLGA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 76mOhm @ 400mA, 4.5V, Power Dissipation (Max): 500mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.05V @ 250µA, Supplier Device Package: 3-LGA (0.73x0.64), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Vgs (Max): -20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.33 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 385 pF @ 10 V.
Інші пропозиції CSD25501F3T за ціною від 38.45 грн до 99.32 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
CSD25501F3T | Texas Instruments |
Trans MOSFET P-CH 20V 3.6A 3-Pin LGA T/R |
на замовлення 169 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
|
|
CSD25501F3T | Texas Instruments |
Description: MOSFET P-CH 20V 3.6A 3LGA Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 3-XFLGA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 76mOhm @ 400mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.05V @ 250µA Supplier Device Package: 3-LGA (0.73x0.64) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): -20V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.33 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 385 pF @ 10 V |
на замовлення 11675 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
 |
CSD25501F3T | Texas Instruments |
MOSFET -20-V, P channel NexFET power MOSFET, single LGA 0.6 mm x 0.7 mm, 76 mOhm, gate ESD protection 3-PICOSTAR -55 to 150 |
на замовлення 793 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||
|
|
CSD25501F3T | Texas Instruments |
Trans MOSFET P-CH 20V 3.6A 3-Pin LGA T/R |
на замовлення 169 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 18 шт В кошику од. на суму грн. |
| CSD25501F3T |
|
Виробник: Texas Instruments
Trans MOSFET P-CH 20V 3.6A 3-Pin LGA T/R
Trans MOSFET P-CH 20V 3.6A 3-Pin LGA T/R
на замовлення 169 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 17+ | 44.59 грн |
| 25+ | 44.15 грн |
| 100+ | 38.45 грн |
| CSD25501F3T |
|
Виробник: Texas Instruments
Description: MOSFET P-CH 20V 3.6A 3LGA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFLGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 76mOhm @ 400mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.05V @ 250µA
Supplier Device Package: 3-LGA (0.73x0.64)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.33 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 385 pF @ 10 V
Description: MOSFET P-CH 20V 3.6A 3LGA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFLGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 76mOhm @ 400mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.05V @ 250µA
Supplier Device Package: 3-LGA (0.73x0.64)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.33 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 385 pF @ 10 V
на замовлення 11675 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 99.32 грн |
| 10+ | 60.55 грн |
| 100+ | 40.15 грн |
| CSD25501F3T |
|
Виробник: Texas Instruments
MOSFET -20-V, P channel NexFET power MOSFET, single LGA 0.6 mm x 0.7 mm, 76 mOhm, gate ESD protection 3-PICOSTAR -55 to 150
MOSFET -20-V, P channel NexFET power MOSFET, single LGA 0.6 mm x 0.7 mm, 76 mOhm, gate ESD protection 3-PICOSTAR -55 to 150
на замовлення 793 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| CSD25501F3T |
|
Виробник: Texas Instruments
Trans MOSFET P-CH 20V 3.6A 3-Pin LGA T/R
Trans MOSFET P-CH 20V 3.6A 3-Pin LGA T/R
на замовлення 169 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)