на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 14.85 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис CSD75207W15 Texas Instruments
Description: MOSFET 2P-CH 3.9A 9DSBGA, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 9-UFBGA, DSBGA, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 P-Channel (Dual) Common Source, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 700mW, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 595pF @ 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 162mOhm @ 1A, 1.8V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.7nC @ 4.5V, FET Feature: Logic Level Gate, Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA, Supplier Device Package: 9-DSBGA, Part Status: Active.
Інші пропозиції CSD75207W15 за ціною від 14.13 грн до 48.54 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
CSD75207W15 | Виробник : Texas Instruments |
 Trans MOSFET P-CH 3.9A 9-Pin DSBGA T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
CSD75207W15 | Виробник : Texas Instruments |
Trans MOSFET P-CH 3.9A 9-Pin DSBGA T/R |
на замовлення 404 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
CSD75207W15 | Виробник : Texas Instruments |
MOSFETs Dual P-CH NexFET Pwr MOSFET |
на замовлення 8761 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
CSD75207W15 | Виробник : Texas Instruments |
Description: MOSFET 2P-CH 3.9A 9DSBGA Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 9-UFBGA, DSBGA Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Common Source Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 700mW Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 595pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 162mOhm @ 1A, 1.8V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.7nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA Supplier Device Package: 9-DSBGA Part Status: Active |
на замовлення 4122 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
CSD75207W15 | Виробник : Texas Instruments |
Trans MOSFET P-CH 3.9A 9-Pin DSBGA T/R |
на замовлення 404 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
|
|
CSD75207W15 | Виробник : Texas Instruments |
Trans MOSFET P-CH 3.9A 9-Pin DSBGA T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
CSD75207W15 | Виробник : Texas Instruments |
Trans MOSFET P-CH 3.9A 9-Pin DSBGA T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
CSD75207W15 | Виробник : Texas Instruments |
Description: MOSFET 2P-CH 3.9A 9DSBGA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 9-UFBGA, DSBGA Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Common Source Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 700mW Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 595pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 162mOhm @ 1A, 1.8V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.7nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA Supplier Device Package: 9-DSBGA Part Status: Active |
товару немає в наявності |