Продукція > TEXAS INSTRUMENTS > CSD75208W1015T
CSD75208W1015T

CSD75208W1015T Texas Instruments

suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd75208w1015 Виробник: Texas Instruments
Description: MOSFET 2P-CH 20V 1.6A 6DSBGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UFBGA, DSBGA
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual) Common Source
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 750mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 410pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 68mOhm @ 1A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-DSBGA (1x1.5)
Part Status: Active
на замовлення 4250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
250+43.28 грн
500+37.67 грн
750+35.93 грн
1250+31.55 грн
1750+31.01 грн
2500+29.05 грн
Мінімальне замовлення: 250
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис CSD75208W1015T Texas Instruments

Description: MOSFET 2P-CH 20V 1.6A 6DSBGA, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-UFBGA, DSBGA, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 P-Channel (Dual) Common Source, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 750mW, Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 410pF @ 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 68mOhm @ 1A, 4.5V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5nC @ 4.5V, FET Feature: Logic Level Gate, Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA, Supplier Device Package: 6-DSBGA (1x1.5), Part Status: Active.

Інші пропозиції CSD75208W1015T за ціною від 30.24 грн до 90.12 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
CSD75208W1015T CSD75208W1015T Виробник : Texas Instruments suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd75208w1015 Description: MOSFET 2P-CH 20V 1.6A 6DSBGA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UFBGA, DSBGA
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual) Common Source
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 750mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 410pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 68mOhm @ 1A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-DSBGA (1x1.5)
Part Status: Active
на замовлення 4597 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+89.13 грн
10+69.89 грн
100+41.67 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
CSD75208W1015T CSD75208W1015T Виробник : Texas Instruments suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd75208w1015 MOSFETs 20V PCH NexFET Pwr M OSFET A 595-CSD75208W1015
на замовлення 9704 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+90.12 грн
10+73.01 грн
100+37.81 грн
500+34.21 грн
1000+31.05 грн
2500+30.24 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
CSD75208W1015T CSD75208W1015T Виробник : Texas Instruments suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd75208w1015 Trans MOSFET P-CH 20V 1.6A 6-Pin DSBGA T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD75208W1015T CSD75208W1015T Виробник : Texas Instruments suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd75208w1015 Trans MOSFET P-CH 20V 1.6A 6-Pin DSBGA T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD75208W1015T CSD75208W1015T Виробник : Texas Instruments slps512.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 1.6A 6-Pin DSBGA T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD75208W1015T Виробник : TEXAS INSTRUMENTS suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd75208w1015 CSD75208W1015T Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.