CSD75301W1015 Texas Instruments
Виробник: Texas InstrumentsDescription: MOSFET 2P-CH 20V 1.2A 6DSBGA
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-UFBGA, DSBGA
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 800mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 195pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 1A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.1nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-DSBGA (1x1.5)
Part Status: Obsolete
на замовлення 1175 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1175+ | 24.43 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис CSD75301W1015 Texas Instruments
Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD75301W1015 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 1.2 A, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 1.2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.08ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 800mW, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: -, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: DSBGA, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -, productTraceability: No, Kanaltyp: p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: -, Betriebstemperatur, max.: 150°C.
Інші пропозиції CSD75301W1015 за ціною від 26.22 грн до 40.85 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
CSD75301W1015 | Виробник : Texas Instruments |
Trans MOSFET P-CH 20V 1.2A 6-Pin DSBGA T/R |
на замовлення 1175 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
 |
CSD75301W1015 | Виробник : TEXAS INSTRUMENTS |
Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD75301W1015 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 1.2 A tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 1.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.08ohm Verlustleistung, p-Kanal: 800mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: - euEccn: NLR Bauform - Transistor: DSBGA Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: - Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 915 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
 |
CSD75301W1015 | Виробник : Texas Instruments |
Trans MOSFET P-CH 20V 1.2A 6-Pin DSBGA T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||
|
|
CSD75301W1015 | Виробник : Texas Instruments |
Description: MOSFET 2P-CH 20V 1.2A 6DSBGA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-UFBGA, DSBGA Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 800mW Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 195pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 1A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.1nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: 6-DSBGA (1x1.5) Part Status: Obsolete |
товару немає в наявності |
|||||||||
 |
CSD75301W1015 | Виробник : Texas Instruments |
MOSFETs P-Ch-Dual Common Source Pwr MOSFETs |
товару немає в наявності |