CSD75301W1015 Texas Instruments


CSD75301W1015.pdf
Виробник: Texas Instruments
Description: MOSFET 2P-CH 20V 1.2A 6DSBGA
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-UFBGA, DSBGA
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 800mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 195pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 1A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.1nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-DSBGA (1x1.5)
Part Status: Obsolete
на замовлення 1175 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
647+30.86 грн
Мінімальне замовлення: 647 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис CSD75301W1015 Texas Instruments

Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD75301W1015 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 1.2 A, tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 1.2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.08ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 800mW, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: -, Bauform - Transistor: DSBGA, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: -, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

Інші пропозиції CSD75301W1015 за ціною від 25.13 грн до 53.40 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
CSD75301W1015 CSD75301W1015 TEXAS INSTRUMENTS CSD75301W1015.pdf Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD75301W1015 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 1.2 A
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 1.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.08ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 800mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: -
Bauform - Transistor: DSBGA
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 915 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+53.40 грн
22+37.69 грн
100+32.30 грн
500+25.13 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD75301W1015 CSD75301W1015.pdf
Виробник: TEXAS INSTRUMENTS
Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD75301W1015 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 1.2 A
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 1.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.08ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 800mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: -
Bauform - Transistor: DSBGA
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 915 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
16+53.40 грн
22+37.69 грн
100+32.30 грн
500+25.13 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.