CSD83325LT Texas Instruments
Виробник: Texas Instruments
Description: MOSFET 2N-CH 12V 6PICOSTAR
Part Status: Active
Supplier Device Package: 6-PicoStar
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.9nC @ 4.5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Power - Max: 2.3W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-XFBGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 250+ | 41.59 грн |
| 500+ | 38.42 грн |
| 750+ | 37.60 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис CSD83325LT Texas Instruments
Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD83325LT - Dual-MOSFET, n-Kanal, 12 V, 8 A, 0.0099 ohm, PICOSTAR, Oberflächenmontage, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 12, Dauer-Drainstrom Id: 8, Rds(on)-Messspannung Vgs: 4.5, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung Pd: 2.3, Bauform - Transistor: PICOSTAR, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 6, Produktpalette: -, Wandlerpolarität: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0099, Betriebstemperatur, max.: 150, Schwellenspannung Vgs: 950, SVHC: No SVHC (17-Jan-2022).
Інші пропозиції CSD83325LT за ціною від 40.13 грн до 77.49 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
CSD83325LT | Texas Instruments |
Trans MOSFET N-CH 12V 8A 6-Pin PicoStar T/R |
на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
|
CSD83325LT | Texas Instruments |
Description: MOSFET 2N-CH 12V 6PICOSTAR Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-XFBGA Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2.3W Drain to Source Voltage (Vdss): 12V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.9nC @ 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA Supplier Device Package: 6-PicoStar Part Status: Active |
на замовлення 750 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
 |
CSD83325LT | Texas Instruments |
MOSFETs 12-V N channel NexF ET power MOSFET du A A 595-CSD83325L |
на замовлення 445 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| CSD83325LT |
|
Виробник: Texas Instruments
Trans MOSFET N-CH 12V 8A 6-Pin PicoStar T/R
Trans MOSFET N-CH 12V 8A 6-Pin PicoStar T/R
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 250+ | 55.98 грн |
| 500+ | 51.67 грн |
| CSD83325LT |
|
Виробник: Texas Instruments
Description: MOSFET 2N-CH 12V 6PICOSTAR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-XFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.3W
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.9nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-PicoStar
Part Status: Active
Description: MOSFET 2N-CH 12V 6PICOSTAR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-XFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.3W
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.9nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-PicoStar
Part Status: Active
на замовлення 750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 77.49 грн |
| 10+ | 53.65 грн |
| 25+ | 48.44 грн |
| 100+ | 40.13 грн |
| CSD83325LT |
|
Виробник: Texas Instruments
MOSFETs 12-V N channel NexF ET power MOSFET du A A 595-CSD83325L
MOSFETs 12-V N channel NexF ET power MOSFET du A A 595-CSD83325L
на замовлення 445 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)