Продукція > TEXAS INSTRUMENTS > CSD85301Q2T
CSD85301Q2T

CSD85301Q2T Texas Instruments

suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd85301q2
Виробник: Texas Instruments
Description: MOSFET 2N-CH 20V 5A 6WSON
Part Status: Active
Supplier Device Package: 6-WSON (2x2)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate, 5V Drive
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.4nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 5A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 469pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 2.3W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
250+44.09 грн
500+37.01 грн
750+35.34 грн
Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис CSD85301Q2T Texas Instruments

Description: MOSFET 2N-CH 20V 5A 6WSON, Part Status: Active, Supplier Device Package: 6-WSON (2x2), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA, FET Feature: Logic Level Gate, 5V Drive, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.4nC @ 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 5A, 4.5V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 469pF @ 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A, Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Power - Max: 2.3W, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Configuration: 2 N-Channel (Dual), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad, Packaging: Tape & Reel (TR).

Інші пропозиції CSD85301Q2T за ціною від 42.45 грн до 116.24 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
CSD85301Q2T CSD85301Q2T Texas Instruments suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd85301q2 Description: MOSFET 2N-CH 20V 5A 6WSON
Part Status: Active
Supplier Device Package: 6-WSON (2x2)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate, 5V Drive
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.4nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 5A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 469pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 2.3W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1020 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+116.24 грн
10+74.77 грн
100+42.45 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD85301Q2T CSD85301Q2T Texas Instruments suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd85301q2 MOSFETs Dual N-Channel NexFE T Pwr MOSFET A 595- A 595-CSD85301Q2
на замовлення 328 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
CSD85301Q2T CSD85301Q2T TEXAS INSTRUMENTS suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd85301q2 Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD85301Q2T - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 5 A, 0.023 ohm, WSON, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20
Dauer-Drainstrom Id: 5
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 2.3
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900
Bauform - Transistor: WSON
Anzahl der Pins: 6
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.023
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
CSD85301Q2T suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd85301q2
CSD85301Q2T
Виробник: Texas Instruments
Description: MOSFET 2N-CH 20V 5A 6WSON
Part Status: Active
Supplier Device Package: 6-WSON (2x2)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate, 5V Drive
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.4nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 5A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 469pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 2.3W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1020 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+116.24 грн
10+74.77 грн
100+42.45 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD85301Q2T suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd85301q2
CSD85301Q2T
Виробник: Texas Instruments
MOSFETs Dual N-Channel NexFE T Pwr MOSFET A 595- A 595-CSD85301Q2
на замовлення 328 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
CSD85301Q2T suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd85301q2
CSD85301Q2T
Виробник: TEXAS INSTRUMENTS
Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD85301Q2T - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 5 A, 0.023 ohm, WSON, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20
Dauer-Drainstrom Id: 5
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 2.3
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900
Bauform - Transistor: WSON
Anzahl der Pins: 6
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.023
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.