
CSD85302LT Texas Instruments

Description: MOSFET 2N-CH 4PICOSTAR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-XFLGA
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.7W
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.8nC @ 4.5V
Supplier Device Package: 4-Picostar (1.31x1.31)
Part Status: Active
на замовлення 3750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
250+ | 38.33 грн |
500+ | 33.48 грн |
750+ | 31.73 грн |
1250+ | 28.97 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис CSD85302LT Texas Instruments
Category: Multi channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 1.7W; PICOSTAR4; ESD, Semiconductor structure: common drain, Case: PICOSTAR4, Mounting: SMD, Kind of package: reel; tape, Drain-source voltage: 20V, On-state resistance: 36mΩ, Type of transistor: N-MOSFET x2, Power dissipation: 1.7W, Polarisation: unipolar, Version: ESD, Technology: NexFET™, Kind of channel: enhancement, Gate-source voltage: ±10V, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції CSD85302LT за ціною від 53.07 грн до 129.72 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
CSD85302LT | Виробник : Texas Instruments |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 4-XFLGA Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.7W Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.8nC @ 4.5V Supplier Device Package: 4-Picostar (1.31x1.31) Part Status: Active |
на замовлення 3993 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
CSD85302LT | Виробник : Texas Instruments |
![]() |
товару немає в наявності |
||||||||||
CSD85302LT | Виробник : TEXAS INSTRUMENTS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 1.7W; PICOSTAR4; ESD Semiconductor structure: common drain Case: PICOSTAR4 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: 20V On-state resistance: 36mΩ Type of transistor: N-MOSFET x2 Power dissipation: 1.7W Polarisation: unipolar Version: ESD Technology: NexFET™ Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±10V кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||
![]() |
CSD85302LT | Виробник : Texas Instruments |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||
CSD85302LT | Виробник : TEXAS INSTRUMENTS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 1.7W; PICOSTAR4; ESD Semiconductor structure: common drain Case: PICOSTAR4 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: 20V On-state resistance: 36mΩ Type of transistor: N-MOSFET x2 Power dissipation: 1.7W Polarisation: unipolar Version: ESD Technology: NexFET™ Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±10V |
товару немає в наявності |