CSD85302LT Texas Instruments
Виробник: Texas Instruments
Description: MOSFET 2N-CH 4PICOSTAR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-XFLGA
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.7W
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.8nC @ 4.5V
Supplier Device Package: 4-Picostar (1.31x1.31)
Part Status: Active
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 250+ | 48.97 грн |
| 750+ | 40.54 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис CSD85302LT Texas Instruments
Category: Multi channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 1.7W; PICOSTAR4; ESD, Mounting: SMD, Semiconductor structure: common drain, Case: PICOSTAR4, Kind of package: reel; tape, Polarisation: unipolar, On-state resistance: 36mΩ, Power dissipation: 1.7W, Gate-source voltage: ±10V, Drain-source voltage: 20V, Kind of channel: enhancement, Version: ESD, Technology: NexFET™, Type of transistor: N-MOSFET x2.
Інші пропозиції CSD85302LT за ціною від 16.55 грн до 132.95 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
CSD85302LT | Texas Instruments |
Description: MOSFET 2N-CH 4PICOSTAR Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 4-XFLGA Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.7W Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.8nC @ 4.5V Supplier Device Package: 4-Picostar (1.31x1.31) Part Status: Active |
на замовлення 3934 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| CSD85302LT | Texas Instruments |
20V, N ch NexFET MOSFET dual common source SON3x3, 14mOhm |
на замовлення 1035 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| CSD85302LT |
|
Виробник: Texas Instruments
Description: MOSFET 2N-CH 4PICOSTAR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-XFLGA
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.7W
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.8nC @ 4.5V
Supplier Device Package: 4-Picostar (1.31x1.31)
Part Status: Active
Description: MOSFET 2N-CH 4PICOSTAR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-XFLGA
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.7W
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.8nC @ 4.5V
Supplier Device Package: 4-Picostar (1.31x1.31)
Part Status: Active
на замовлення 3934 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 132.95 грн |
| 10+ | 81.03 грн |
| 50+ | 60.76 грн |
| 100+ | 48.02 грн |
| CSD85302LT |
|
Виробник: Texas Instruments
20V, N ch NexFET MOSFET dual common source SON3x3, 14mOhm
20V, N ch NexFET MOSFET dual common source SON3x3, 14mOhm
на замовлення 1035 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 33+ | 22.87 грн |
| 34+ | 22.33 грн |
| 35+ | 22.01 грн |
| 100+ | 19.65 грн |
| 250+ | 17.98 грн |
| 500+ | 16.90 грн |
| 1000+ | 16.55 грн |