CSD85302LT

CSD85302LT Texas Instruments


suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd85302l Виробник: Texas Instruments
Description: MOSFET 2N-CH 4PICOSTAR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-XFLGA
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.7W
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.8nC @ 4.5V
Supplier Device Package: 4-Picostar (1.31x1.31)
Part Status: Active
на замовлення 3750 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
250+38.33 грн
500+33.48 грн
750+31.73 грн
1250+28.97 грн
Мінімальне замовлення: 250
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис CSD85302LT Texas Instruments

Category: Multi channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 1.7W; PICOSTAR4; ESD, Semiconductor structure: common drain, Case: PICOSTAR4, Mounting: SMD, Kind of package: reel; tape, Drain-source voltage: 20V, On-state resistance: 36mΩ, Type of transistor: N-MOSFET x2, Power dissipation: 1.7W, Polarisation: unipolar, Version: ESD, Technology: NexFET™, Kind of channel: enhancement, Gate-source voltage: ±10V, кількість в упаковці: 1 шт.

Інші пропозиції CSD85302LT за ціною від 53.07 грн до 129.72 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
CSD85302LT CSD85302LT Виробник : Texas Instruments suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd85302l Description: MOSFET 2N-CH 4PICOSTAR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-XFLGA
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.7W
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.8nC @ 4.5V
Supplier Device Package: 4-Picostar (1.31x1.31)
Part Status: Active
на замовлення 3993 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+129.72 грн
10+79.16 грн
100+53.07 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
CSD85302LT Виробник : Texas Instruments getliterature.pdf 20V, N ch NexFET MOSFET dual common source SON3x3, 14mOhm
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD85302LT Виробник : TEXAS INSTRUMENTS suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd85302l Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 1.7W; PICOSTAR4; ESD
Semiconductor structure: common drain
Case: PICOSTAR4
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 20V
On-state resistance: 36mΩ
Type of transistor: N-MOSFET x2
Power dissipation: 1.7W
Polarisation: unipolar
Version: ESD
Technology: NexFET™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±10V
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD85302LT CSD85302LT Виробник : Texas Instruments suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd85302l MOSFETs 20V Dual N ch MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD85302LT Виробник : TEXAS INSTRUMENTS suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd85302l Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 1.7W; PICOSTAR4; ESD
Semiconductor structure: common drain
Case: PICOSTAR4
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 20V
On-state resistance: 36mΩ
Type of transistor: N-MOSFET x2
Power dissipation: 1.7W
Polarisation: unipolar
Version: ESD
Technology: NexFET™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±10V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.