CSD85312Q3E Texas Instruments
Виробник: Texas InstrumentsDescription: MOSFET 2N-CH 20V 39A 8VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Source
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2390pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.4mOhm @ 10A, 8V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.2nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate, 5V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON (3.3x3.3)
Part Status: Active
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2500+ | 33.95 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис CSD85312Q3E Texas Instruments
Description: MOSFET 2N-CH 20V 39A 8VSON, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerVDFN, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Source, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 2.5W, Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2390pF @ 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.4mOhm @ 10A, 8V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.2nC @ 4.5V, FET Feature: Logic Level Gate, 5V Drive, Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-VSON (3.3x3.3), Part Status: Active.
Інші пропозиції CSD85312Q3E за ціною від 30.97 грн до 107.29 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
CSD85312Q3E | Виробник : Texas Instruments |
Description: MOSFET 2N-CH 20V 39A 8VSON Packaging: Bulk Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Source Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2.5W Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2390pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.4mOhm @ 10A, 8V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.2nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate, 5V Drive Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSON (3.3x3.3) Part Status: Active |
на замовлення 6458 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
CSD85312Q3E | Виробник : Texas Instruments |
Description: MOSFET 2N-CH 20V 39A 8VSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Source Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2.5W Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2390pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.4mOhm @ 10A, 8V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.2nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate, 5V Drive Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSON (3.3x3.3) Part Status: Active |
на замовлення 6648 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
CSD85312Q3E | Виробник : Texas Instruments |
MOSFETs Dual 20V N-CH Pwr MOSFETs |
на замовлення 3531 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
CSD85312Q3E | Виробник : Texas Instruments |
20V, N ch NexFET MOSFET dual common source SON3x3, 14mOhm |
товару немає в наявності |