CSD85312Q3E

CSD85312Q3E Texas Instruments


suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd85312q3e Виробник: Texas Instruments
Description: MOSFET 2N-CH 20V 39A 8VSON
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Source
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2390pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.4mOhm @ 10A, 8V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.2nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate, 5V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON (3.3x3.3)
Part Status: Active
на замовлення 6458 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
670+29.93 грн
Мінімальне замовлення: 670
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис CSD85312Q3E Texas Instruments

Description: MOSFET 2N-CH 20V 39A 8VSON, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerVDFN, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Source, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 2.5W, Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2390pF @ 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.4mOhm @ 10A, 8V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.2nC @ 4.5V, FET Feature: Logic Level Gate, 5V Drive, Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-VSON (3.3x3.3), Part Status: Active.

Інші пропозиції CSD85312Q3E за ціною від 27.37 грн до 82.12 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
CSD85312Q3E CSD85312Q3E Виробник : Texas Instruments suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd85312q3e Description: MOSFET 2N-CH 20V 39A 8VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Source
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2390pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.4mOhm @ 10A, 8V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.2nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate, 5V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON (3.3x3.3)
Part Status: Active
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+33.93 грн
5000+ 31.12 грн
Мінімальне замовлення: 2500
CSD85312Q3E CSD85312Q3E Виробник : Texas Instruments suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd85312q3e MOSFET Dual 20V N-CH Pwr MOSFETs
на замовлення 4894 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+80.8 грн
10+ 65.4 грн
100+ 44.28 грн
500+ 37.56 грн
1000+ 30.57 грн
2500+ 28.77 грн
5000+ 27.37 грн
Мінімальне замовлення: 4
CSD85312Q3E CSD85312Q3E Виробник : Texas Instruments suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd85312q3e Description: MOSFET 2N-CH 20V 39A 8VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Source
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2390pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.4mOhm @ 10A, 8V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.2nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate, 5V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON (3.3x3.3)
Part Status: Active
на замовлення 8065 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+82.12 грн
10+ 64.65 грн
100+ 50.27 грн
500+ 39.99 грн
1000+ 32.57 грн
Мінімальне замовлення: 4
CSD85312Q3E CSD85312Q3E Виробник : Texas Instruments getliterature.pdf 20V, N ch NexFET MOSFET dual common source SON3x3, 14mOhm
товар відсутній