на замовлення 1770 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 270+ | 45.17 грн |
| 273+ | 44.72 грн |
| 311+ | 39.21 грн |
| 313+ | 37.58 грн |
| 500+ | 31.36 грн |
| 1000+ | 27.81 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис CSD86311W1723 Texas Instruments
Description: MOSFET 2N-CH 25V 4.5A 12DSBGA, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 12-UFBGA, DSBGA, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 1.5W, Drain to Source Voltage (Vdss): 25V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 585pF @ 12.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 2A, 8V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4nC @ 4.5V, FET Feature: Logic Level Gate, Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA, Supplier Device Package: 12-DSBGA.
Інші пропозиції CSD86311W1723 за ціною від 25.10 грн до 85.74 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
CSD86311W1723 | Виробник : Texas Instruments |
 Power Block 12-Pin Wafer T/R |
на замовлення 1770 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
CSD86311W1723 | Виробник : Texas Instruments |
MOSFET Dual N-Channel Nex FET Pwr MOSFET |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
CSD86311W1723 | Виробник : Texas Instruments |
Description: MOSFET 2N-CH 25V 4.5A 12DSBGA Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 12-UFBGA, DSBGA Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.5W Drain to Source Voltage (Vdss): 25V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 585pF @ 12.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 2A, 8V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA Supplier Device Package: 12-DSBGA |
на замовлення 2430 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| CSD86311W1723 |
TI BGA 1127+ |
на замовлення 1639 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||||
 |
CSD86311W1723 | Виробник : Texas Instruments |
High Frequency Synchronous Power Module |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
CSD86311W1723 | Виробник : Texas Instruments |
Power Block 12-Pin Wafer T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
CSD86311W1723 | Виробник : Texas Instruments |
Power Block 12-Pin Wafer T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
CSD86311W1723 | Виробник : Texas Instruments |
Description: MOSFET 2N-CH 25V 4.5A 12DSBGA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 12-UFBGA, DSBGA Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.5W Drain to Source Voltage (Vdss): 25V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 585pF @ 12.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 2A, 8V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA Supplier Device Package: 12-DSBGA |
товару немає в наявності |