CSD86330Q3D Texas Instruments
Виробник: Texas InstrumentsDescription: MOSFET 2N-CH 25V 20A 8LSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 6W
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 920pF @ 12.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.6mOhm @ 14A, 8V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.2nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-LSON (3.3x3.3)
Part Status: Active
на замовлення 31000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 61.81 грн |
| 5000+ | 57.31 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис CSD86330Q3D Texas Instruments
Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD86330Q3D - Dual-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 25 V, 20 A, 20 A, 4.6 ohm, tariffCode: 85423990, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 20A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 25V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 4.6ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 6W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 25V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 4.6ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 6W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Інші пропозиції CSD86330Q3D за ціною від 56.95 грн до 150.32 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
CSD86330Q3D | Виробник : Texas Instruments |
Synchronous Buck Power Stage 8-Pin SON EP T/R |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
CSD86330Q3D | Виробник : Texas Instruments |
Synchronous Buck Power Stage 8-Pin SON EP T/R |
на замовлення 12500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
CSD86330Q3D | Виробник : TEXAS INSTRUMENTS |
Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD86330Q3D - Dual-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 25 V, 20 A, 20 A, 4.6 ohm tariffCode: 85423990 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 20A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 25V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 4.6ohm Verlustleistung, p-Kanal: 6W euEccn: NLR Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 4.6ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 6W SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 413 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
CSD86330Q3D | Виробник : Texas Instruments |
Synchronous Buck Power Stage 8-Pin SON EP T/R |
на замовлення 749 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
CSD86330Q3D | Виробник : Texas Instruments |
Synchronous Buck Power Stage 8-Pin SON EP T/R |
на замовлення 749 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
CSD86330Q3D | Виробник : Texas Instruments |
Description: MOSFET 2N-CH 25V 20A 8LSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerLDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 6W Drain to Source Voltage (Vdss): 25V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 920pF @ 12.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.6mOhm @ 14A, 8V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.2nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA Supplier Device Package: 8-LSON (3.3x3.3) Part Status: Active |
на замовлення 32230 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
CSD86330Q3D | Виробник : Texas Instruments |
MOSFET Sync Buck NexFET Pwr Block MOSFET |
на замовлення 23049 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
CSD86330Q3D | Виробник : TEXAS INSTRUMENTS |
Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD86330Q3D - Dual-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 25 V, 20 A, 20 A, 4.6 ohm tariffCode: 85423990 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 20A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 25V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 4.6ohm Verlustleistung, p-Kanal: 6W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 25V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 4.6ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 6W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
| CSD86330Q3D | Виробник : TI |
|
на замовлення 15000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
|
|
CSD86330Q3D | Виробник : Texas Instruments |
Synchronous Buck Power Stage 8-Pin SON EP T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
CSD86330Q3D | Виробник : Texas Instruments |
Synchronous Buck Power Stage 8-Pin SON EP T/R |
товар відсутній |