CSD86330Q3D Texas Instruments
Виробник: Texas Instruments
Description: MOSFET 2N-CH 25V 20A 8LSON
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerLDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-LSON (3.3x3.3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.2nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.6mOhm @ 14A, 8V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 920pF @ 12.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Power - Max: 6W
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2500+ | 59.82 грн |
| 5000+ | 57.34 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис CSD86330Q3D Texas Instruments
Description: MOSFET 2N-CH 25V 20A 8LSON, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 8-PowerLDFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Part Status: Active, Supplier Device Package: 8-LSON (3.3x3.3), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA, FET Feature: Logic Level Gate, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.2nC @ 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.6mOhm @ 14A, 8V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 920pF @ 12.5V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A, Drain to Source Voltage (Vdss): 25V, Power - Max: 6W.
Інші пропозиції CSD86330Q3D за ціною від 60.43 грн до 197.15 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
CSD86330Q3D | Виробник : Texas Instruments |
MOSFETs Sync Buck NexFET Pwr Block MOSFET |
на замовлення 11627 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
CSD86330Q3D | Виробник : Texas Instruments |
Description: MOSFET 2N-CH 25V 20A 8LSON Part Status: Active Supplier Device Package: 8-LSON (3.3x3.3) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA FET Feature: Logic Level Gate Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.2nC @ 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.6mOhm @ 14A, 8V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 920pF @ 12.5V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A Drain to Source Voltage (Vdss): 25V Power - Max: 6W Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerLDFN Packaging: Cut Tape (CT) |
на замовлення 17203 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
| CSD86330Q3D | Виробник : TI |
|
на замовлення 15000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |